[发明专利]一种B掺杂SiC纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201610564364.1 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106219548B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈善亮;高凤梅;王霖;尚明辉;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙)33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sic 纳米 制备 方法 | ||
1.一种B掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：
将有机前驱体先进行热交联固化和球磨粉碎，然后与B2O3粉末混合均匀；
将混合均匀后的物料及柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，先从室温加热至1280-1350℃，再加热至1380-1480℃，然后冷却至1330-1380℃，接着冷却至1080-1150℃，最后随炉冷却至室温，得到B掺杂的SiC纳米线；
所述有机前驱体为聚硅氮烷；
所述的柔性衬底为碳纤维布，所述的碳纤维布经过如下方法处理：先在纯度为99％的浓度为0.05mol/L的Co(NO3)2的乙醇溶液中浸渍并超声处理8-10s，取出后自然晾干。
2.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述的热交联固化在N2气氛下于230-280℃下进行，保温20-50min。
3.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，有机前驱体与B2O3粉末的质量比为3-6:1。
4.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，从室温加热至1280-1350℃的过程中，升温速率为28-35℃/min。
5.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，从1280-1350℃加热至1380-1480℃的过程中，升温速率为20-25℃/min。
6.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，冷却至1330-1380℃及从1330-1380℃冷却至1080-1150℃采用的冷却速率均为3-5℃/min。
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