[发明专利]具有低导通电阻的横向功率集成器件

权利要求书

1.一种横向功率集成器件，包括：

源极区和漏极区，它们设置在半导体层内，并且在沟道长度方向上彼此间隔开，其中，半导体层具有第一导电性，其中，源极区和漏极区中的每个具有第二导电性；

漂移区，具有第二导电性，设置在半导体层内，并且包围漏极区；

沟道区，在沟道长度方向上布置在源极区与漂移区之间；

多个平面绝缘场板，它们设置在漂移区之上，并且在沟道宽度方向上彼此间隔开，其中，沟道宽度方向与沟道长度方向相交；

多个沟槽绝缘场板，它们设置在漂移区内，其中，沟槽绝缘场板中的每个在沟道宽度方向上设置在平面绝缘场板之间；

栅绝缘层，形成在沟道区之上；以及

栅电极，形成在栅绝缘层之上，

其中，沿着沟道宽度方向交替地布置多个平面绝缘场板和多个沟槽绝缘场板。

2.根据权利要求1所述的横向功率集成器件，其中，平面绝缘场板中的每个具有位于与漂移区的上表面基本上相同的水平处的下表面。

3.根据权利要求2所述的横向功率集成器件，

其中，沟槽绝缘场板中的每个具有位于与漂移区的上表面基本上相同的水平处的上表面。

4.根据权利要求3所述的横向功率集成器件，还包括：

累积区，设置在漂移区内，并且设置在沟道区与平面绝缘场板之间以及沟道区与沟槽绝缘场板之间。

5.根据权利要求4所述的横向功率集成器件，

其中，栅绝缘层和栅电极中的每个在沟道长度方向上还在累积区之上延伸。

6.根据权利要求5所述的横向功率集成器件，

其中，栅绝缘层在沟道长度方向上还在沟槽绝缘场板之上延伸；以及

其中，栅电极在沟道长度方向上还在平面绝缘场板和沟槽绝缘场板之上延伸。

7.根据权利要求6所述的横向功率集成器件，还包括：

多个栅延伸部，它们从栅电极起延伸至沟槽绝缘场板之上。

8.根据权利要求7所述的横向功率集成器件，

其中，第二栅延伸部在沟道宽度方向上彼此间隔开。

9.根据权利要求7所述的横向功率集成器件，

其中，栅延伸部不与平面绝缘场板重叠。

10.根据权利要求1所述的横向功率集成器件，

其中，在沟道宽度方向上测量的平面绝缘场板中的每个的宽度与在沟道宽度方向上测量的沟槽绝缘场板中的每个的宽度基本上相等。

11.根据权利要求1所述的横向功率集成器件，

其中，在沟道宽度方向上测量的平面绝缘场板中的每个的宽度小于在沟道宽度方向上测量的沟槽绝缘场板中的每个的宽度。

12.根据权利要求1所述的横向功率集成器件，

其中，在沟道宽度方向上测量的平面绝缘场板中的每个的宽度大于在沟道宽度方向上测量的沟槽绝缘场板中的每个的宽度。

13.根据权利要求1所述的横向功率集成器件，

其中，平面绝缘场板的侧壁和沟槽绝缘场板的侧壁中的每个与漏极区的侧壁对齐。

14.根据权利要求13所述的横向功率集成器件，

其中，在沟道长度方向上测量的平面绝缘场板中的每个的长度与在沟道长度方向上测量的沟槽绝缘场板中的每个的长度基本上相等。

15.根据权利要求13所述的横向功率集成器件，

其中，在沟道长度方向上测量的平面绝缘场板中的每个的长度大于在沟道长度方向上测量的沟槽绝缘场板中的每个的长度。