[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

第1及第2存储单元，各具备电荷储存层；

第1位线，连接在所述第1存储单元；及

第2位线，连接在所述第2存储单元；

写入动作包含编程动作及验证动作的多次循环，

通过所述写入动作，对所述第1存储单元写入第1数据，对所述第2存储单元写入与所述第1数据不同的第2数据，

在所述写入动作的第1循环中，在所述编程动作时，对所述第1位线施加第1电压且将所述第2位线维持在电气地浮动的状态，在与所述第1数据相关的验证动作时，对所述第1位线施加第2电压且对所述第2位线施加低于所述第2电压的第3电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还包括连接在所述第1及第2存储单元的栅极的第1字线；

在所述第1循环中的所述验证动作时，对所述第1字线施加用于验证所述第1数据的第4电压，且不对所述第1字线施加用于验证所述第2数据的第5电压。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述第1循环之后执行的所述写入动作的第2循环中的编程动作时，对所述第2位线施加所述第1电压，在所述第2循环的验证动作时，对所述第1字线施加所述第5电压，由此进行与所述第2数据相关的验证动作。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

保存所述第2数据的存储单元的阈值高于保存所述第1数据的存储单元的阈值。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还包括：

第3存储单元，具备电荷储存层且连接在所述第1位线；

第1选择晶体管，连接在所述第1存储单元与所述第1位线之间；及

第2选择晶体管，连接在所述第3存储单元与所述第1位线之间；

在所述第1循环的编程动作时，对所述第1选择晶体管的栅极施加第4电压，且对所述第2选择晶体管的栅极施加小于所述第4电压的第5电压，

在所述第1循环之后执行的所述写入动作的第2循环的编程动作时，对所述第1选择晶体管的栅极施加高于所述第4电压的第6电压，且对所述第2选择晶体管的栅极施加高于所述第5电压且低于所述第4电压及所述第6电压的第7电压。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第5电压及所述第7电压使所述第2选择晶体管为断开状态。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第3电压是接地电压。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述编程动作时，对所述第2位线施加高于所述第1电压的第4电压，来维持所述第2位线在所述电气地浮动的状态。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述第1循环之后执行的所述写入动作的第2循环的编程动作时，对所述第2位线施加高于所述第4电压的第5电压，且

在所述第2循环之后执行的所述写入动作的第3循环的编程动作时，对所述第2位线施加所述第1电压。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：

施加在所述第2位线的所述第5电压禁止连接在所述第2位线的任一个存储单元的编程。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述写入动作的所述第2循环的验证动作时，对所述第2位线施加所述第3电压，且

在所述写入动作的所述第3循环的验证动作时，对所述第2位线施加所述第2电压。