[发明专利]主动矩阵式影像感测装置在审
申请号: | 201610587058.X | 申请日: | 2016-07-25 |
公开(公告)号: | CN107658361A | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 吴智濠 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 郭晓宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 矩阵 影像 装置 | ||
1.一种主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,包括:
一影像感测基板,具有多个影像感测像素;以及
一闪烁体基板,与该影像感测基板相对设置,该闪烁体基板具有:
一第一基板;
多个导引件,设置于该第一基板上,并分别由该第一基板朝向该影像感测基板突出,且该些导引件分别与该些影像感测像素对应;
一反射层,设置在该些导引件上;及
一闪烁晶体层,设置于该反射层与该影像感测基板之间。
2.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,该些导引件形成多个开口,该些开口分别与该些影像感测像素对应设置。
3.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,该闪烁晶体层具有面向该影像感测基板的一顶面,该顶面与该反射层的最短距离介于20微米至200微米之间。
4.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,更包括:
一框胶,该影像感测基板更具有一第二基板,该些影像感测像素配置于该第二基板上,且该框胶封闭该第一基板与该第二基板的外围。
5.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,更包括:
一粘着层,设置于该影像感测基板与该闪烁晶体层之间。
6.一种主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,包括:
一影像感测基板,具有一软性基板,且该影像感测基板包含一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面;
一第一闪烁晶体层,设置于该影像感测基板的该第一表面上;以及
一第二闪烁晶体层,设置于该影像感测基板的该第二表面上。
7.如权利要求6所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,该影像感测基板更具有多个影像感测像素,该些影像感测像素配置于该软性基板上。
8.如权利要求7所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,该影像感测像素包含一感光元件及一薄膜晶体管元件,该感光元件具有一第一端点电极及一第二端点电极,该薄膜晶体管元件具有一第一电极、一第二电极及一栅极,该第一电极与一数据线电连接,该第二电极与该感光元件的该第一端点电极电连接,该栅极与一扫描线电连接,该第二端点电极与一导电层电连接。
9.如权利要求8所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,该第一端点电极与该第二端点电极分别为透明电极。
10.如权利要求6所述的主动矩阵式影像感测装置,其特征在于,更包括:
一反射层,设置于该第一闪烁晶体层远离该第一表面的一侧,或设置于该第二闪烁晶体层远离该第二表面的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的