[发明专利]主动矩阵式影像感测装置在审
申请号: | 201610587058.X | 申请日: | 2016-07-25 |
公开(公告)号: | CN107658361A | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 吴智濠 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 郭晓宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 矩阵 影像 装置 | ||
技术领域
本发明关于一种影像感测装置,特别关于一种主动矩阵式影像感测装置。
背景技术
传统X光成像技术是利用成像胶片接收X光的曝光而成像,但近年来,由于半导体技术的发展,X光成像技术也进化到利用平板式的数字化影像感测面板来成像,即所谓的数字放射造影(Digital Radiography,DR)技术。
将数字放射造影技术的原理简述如下。当X光进入影像感测装置内时,会先经过一闪烁晶体层(Scintillator),以将X光转变为可见光,再通过感测面板的感光元件(光电二极管)将所感测到的可见光转换成电信号,再从数据线被读出,再经过影像处理后变成一影像。
然而,当X光通过闪烁晶体层而被转换成可见光时,可见光的行进并无方向性,并不会沿着原先X光的行进方向前进而完全被感光元件感测到,这将造成影像感测装置的影像解析能力的下降。因此,如何提升X光影像感测装置的影像解析能力,一直是业界努力追求的目标之一。
另外,由于可挠性基板(Flexible substrate)的材料逐渐成熟,业者也开始思考将主动矩阵平板感测面板的感光元件制作在可挠性基板的可行性。因此,具有较高的影像解析能力,同时具有可挠性的X光影像感测装置,也是业界努力追求的目标之一。
发明内容
本发明的目的为提供一种主动矩阵式影像感测装置,可具有较高的影像空间解析能力。
本发明的目的为提供另一种主动矩阵式影像感测装置,除了具有较高的影像空间解析能力,更具有可挠性而可应用于更多的领域上。
本发明提出一种主动矩阵式影像感测装置,包括一影像感测基板以及一闪烁体基板。影像感测基板具有多个影像感测像素。闪烁体基板与影像感测基板相对设置,闪烁体基板具有一第一基板、多个导引件、一反射层及一闪烁晶体层,该些导引件设置于第一基板上,并分别由第一基板朝向影像感测基板突出,且该些导引件分别与该些影像感测像素对应,反射层设置在该些导引件上,且闪烁晶体层设置于反射层与影像感测基板之间。
在一实施例中,该些导引件形成多个开口,该些开口分别与该些影像感测像素对应设置。
在一实施例中,闪烁晶体层具有面向影像感测基板的一顶面,顶面与反射层的最短距离介于20微米至200微米之间。
在一实施例中,主动矩阵式影像感测装置更包括一框胶,影像感测基板更具有一第二基板,该些影像感测像素配置于第二基板上,且框胶封闭第一基板与第二基板的外围。
在一实施例中,主动矩阵式影像感测装置更包括一粘着层,粘着层设置于影像感测基板与闪烁晶体层之间。
本发明提出另一种主动矩阵式影像感测装置,包括一影像感测基板、一第一闪烁晶体层以及一第二闪烁晶体层。影像感测基板具有一软性基板,且影像感测基板包含一第一表面及与第一表面相对的一第二表面。第一闪烁晶体层设置于影像感测基板的第一表面上。第二闪烁晶体层设置于影像感测基板的第二表面上。
在一实施例中,影像感测基板更具有多个影像感测像素,该些影像感测像素配置于软性基板上。
在一实施例中,影像感测像素包含一感光元件及一薄膜晶体管元件,感光元件具有一第一端点电极及一第二端点电极,薄膜晶体管元件具有一第一电极、一第二电极及一栅极,第一电极与一数据线电连接,第二电极与感光元件的第一端点电极电连接,栅极与一扫描线电连接,第二端点电极与一导电层电连接。
在一实施例中,第一端点电极与第二端点电极分别为透明电极。
在一实施例中,主动矩阵式影像感测装置更包括一反射层,反射层设置于第一闪烁晶体层远离第一表面的一侧,或设置于第二闪烁晶体层远离第二表面的一侧。
承上所述,在本发明的一种主动矩阵式影像感测装置中,通过在闪烁体基板上具有对应于影像感测基板的像素图案的导引件,并在导引件上形成可反射光线的反射层来限制光线的行进路径,再通过将闪烁晶体层设置于反射层与影像感测基板之间。藉此,相较于已知技术而言,本发明的主动矩阵式影像感测装置可具有较高的影像空间解析能力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的