[发明专利]封装上封装构件与制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种封装上封装构件,其特征在于，包含:

一底部封装,包含有:

一重分布层结构,具有一第一面及相对所述第一面的一第二面；

至少一晶粒,设置在所述第一面上；

一模塑料,设置在所述第一面并且包覆所述晶粒；

多数个穿硅通孔,位于所述晶粒中；

多数个穿模通孔,设置在一周边区域且贯穿所述第一面上的所述模塑料,其中各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径；以及

多数个焊锡凸块或锡球,设置在所述第二面上；以及

一顶部封装,堆叠设置在所述底部封装上,并且通过所述穿硅通孔与所述穿模通孔与所述底部封装电连接。

2.根据权利要求1所述的封装上封装构件,其特征在于，所述重分布层结构包含一介电层以及至少一金属层,其中所述金属层位于所述介电层中。

3.根据权利要求2所述的封装上封装构件,其特征在于，所述重分布层结构另包含一钝化层。

4.根据权利要求1所述的封装上封装构件,其特征在于，所述穿硅通孔是沿着所述晶粒的边缘设置。

5.根据权利要求1所述的封装上封装构件,其特征在于，另包含凸块,位于所述晶粒与所述重分布层结构之间。

6.一种制作半导体器件的方法,其特征在于，包含:

提供一载板；

于所述载板上形成一重分布层结构；

于所述重分布层结构上形成一钝化层；

于所述重分布层结构上形成凸块；

于所述重分布层结构上安装一晶粒,其中所述晶粒包含多数个穿硅通孔,且所述晶粒是通过所述凸块与所述重分布层结构电连接；

以一模塑料模塑所述晶粒；

抛光所述模塑料与所述晶粒,以暴露出各所述穿硅通孔的一端面；以及

在所述晶粒周围的所述模塑料中形成多数个穿模通孔。

7.根据权利要求6所述的制作半导体器件的方法,其特征在于，各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径。

8.根据权利要求6所述的制作半导体器件的方法,其特征在于，在形成所述多数个穿模通孔之后,另包含:

移除所述载板；

于所述重分布层结构上形成一阻焊层；以及

于所述重分布层结构上及所述阻焊层上形成多数个焊锡凸块或锡球。

9.根据权利要求6所述的制作半导体器件的方法,其特征在于，所述多数个穿硅通孔是沿着所述晶粒的边缘设置。

10.一种制作半导体器件的方法,其特征在于，包含:

提供一第一载板；

于所述第一载板上设置一晶粒,其中所述晶粒包含多数个穿硅通孔；

以一模塑料模塑所述晶粒；

于所述晶粒的一有源面上及所述模塑料表面上形成一重分布层结构；

于所述重分布层结构上形成一阻焊层；

于所述重分布层结构上形成多数个焊锡凸块或锡球；

使所述多数个焊锡凸块或锡球贴合至一第二载板；

抛光所述模塑料与所述晶粒,以暴露出各所述穿硅通孔的一端面；以及

在所述晶粒周围的所述模塑料中形成多数个穿模通孔。

11.根据权利要求10所述的制作半导体器件的方法,其特征在于，各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径。

12.根据权利要求10所述的制作半导体器件的方法,其特征在于，所述多数个穿硅通孔是沿着所述晶粒的边缘设置。

13.根据权利要求10所述的制作半导体器件的方法,其特征在于，在以所述模塑料模塑所述晶粒之后,另包含:

移除所述第一载板。

14.根据权利要求10所述的制作半导体器件的方法,其特征在于，在所述晶粒周围的所述模塑料中形成多数个穿模通孔是包含:

于所述模塑料中形成开孔,连通所述重分布层结构的一金属层；以及

将金属填入所述开孔。