[发明专利]封装上封装构件与制作半导体器件的方法在审

申请号：	201610590023.1	申请日：	2016-07-25
公开（公告）号：	CN106960800A	公开（公告）日：	2017-07-18
发明（设计）人：	施信益;吴铁将	申请（专利权）人：	美光科技公司
主分类号：	H01L21/50	分类号：	H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31;H01L25/00
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司11287	代理人：	宋献涛
地址：	美国爱***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	装上封装构件制作半导体器件方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

技术领域

本发明涉及半导体封装领域与制作半导体器件的方法,特别涉及一种具有不同尺寸的封装穿孔的封装上封装构件,可用来将不同功能的芯片封装至一封装体中。

背景技术

随着半导体制造技术的进步,微电子组件的尺寸越来越小,其中的电路也越来越密集。为了进一步缩小尺寸,安装在电路板的微电子组件封装结构也必须更加紧密。

3D封装技术,例如封装上封装(package on package)技术,可以制作出具有较高集成度以及较紧密封装接脚的封装构件。一般而言,封装上封装构件通常包含一个位于顶部的半导体晶粒封装体,堆叠接合到另一个位于底部的晶粒封装体。现有技术制作封装上封装构件的方法,多是通过位于周围的锡球或穿模通孔,使堆叠的顶部封装体和底部封装体电连接。

然而,上述以现有技术制作的封装上封装构件的堆叠结构,无法具有极紧密的间隙，不仅体积较大，并且容易发生翘曲的问题。有鉴于此,本技术领域仍要一个改良的封装上封装构件,利用不同尺寸的封装穿孔将不同功能的芯片安装在一起,可以形成具有较紧密间隙的堆叠结构的封装体。

发明内容

为达上述目的，本发明提供一种改良的封装上封装构件,其中包含不同尺寸的通孔结构，可以形成具有较紧密间隙的堆叠结构。

本发明一方面提供一种封装上封装构件,包含一底部封装以及一堆叠设置在所述底部封装上的顶部封装。底部封装包含一重分布层结构,其中所述重分布层结构具有一第一面及相对所述第一面的一第二面；至少一晶粒,设置在所述第一面上；一模塑料,设置在所述第一面并包覆所述晶粒；多数个穿硅通孔,位于所述晶粒中；多数个穿模通孔,设置在一周边区域且贯穿所述第一面上的所述模塑料,其中各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径。多数个焊锡凸块或锡球,设置在所述第二面上。顶部封装是通过所述穿硅通孔(TSVs)与所述穿模通孔(TMVs)与所述底部封装电连接。

本发明另一方面提供一种重分布层先制(RDL-first)的半导体器件制作方法,其中包含提供一载板,并于所述载板上形成一重分布层结构。接着,于所述重分布层结构上形成一钝化层。接着,在所述重分布层结构上形成凸块,并于所述重分布层结构上安装一晶粒。所述晶粒包含多数个穿硅通孔(TSVs),且所述晶粒是通过所述凸块与所述重分布层结构电连接。接着,以一模塑料模塑所述晶粒,并抛光所述模塑料与所述晶粒,以暴露出各所述穿硅通孔的一端面。接着,在所述晶粒周围的所述模塑料中形成多数个穿模通孔(TMVs)。

本发明又另一方面提供一种芯片先制(chip-first)的半导体器件制作方法,其中包含提供一载板,于所述第一载板上设置一晶粒,其中所述晶粒包含多数个穿硅通孔。接着,以一模塑料模塑所述晶粒,并于所述晶粒的一有源面上及所述模塑料表面上形成一重分布层结构。然后,于所述重分布层结构上形成一阻焊层,并于所述重分布层结构上形成多数个焊锡凸块或锡球。使所述多数个焊锡凸块或锡球贴合至一第二载板后,抛光所述模塑料与所述晶粒,以暴露出各所述穿硅通孔的一端面。接着,在所述晶粒周围的所述模塑料中形成多数个穿模通孔。

毋庸置疑的,本领域的技术人士读完接下来本发明优选实施例的详细描述与附图后,均可了解本发明的目的。

附图说明

图1是根据本发明一实施例的封装上封装构件的剖面示意图。

图2是如图1所示实施例的封装上封装构件中的封装穿孔(TAVs)的设置和布局的示意图。

图3是根据本发明另一实施例的封装上封装构件中的封装穿孔(TAVs)的设置和布局的示意图。

图4到图11是剖面示意图,说明根据本发明一实施例,制作如图1所示包含不同大小的封装穿孔(TAVs)的封装上封装构件的方法。

图12到图18是剖面示意图,说明根据本发明另一实施例,制作包含不同大小的封装穿孔(TAVs)的封装上封装构件的方法。

其中，附图标记说明如下：

1 封装上封装构件

10、10a底部封装

20顶部封装

100 封装穿孔