[发明专利]一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法

权利要求书

1.一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将去除表面损伤层后的硅片浸入腐蚀液中反应制得黑硅；所述腐蚀液为含金属离子的浓氢氟酸、氧化剂和高分子聚合物的混合水溶液；所述高分子聚合物为聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚D，L-乳酸中的一种或几种的组合；所述高分子聚合物的分子量为5000-20000；腐蚀液中，所述高分子聚合物的浓度为5-35 ppm；

（2）将步骤（1）制得的黑硅浸入表面处理腐蚀液中进行表面优化处理，即得亚微米结构的均匀绒面的硅片；其中，所述表面处理腐蚀液为含添加剂的混合酸水溶液；所述添加剂为流平剂；所述流平剂选自丙烯酸共聚物、氟改性丙烯酸共聚物、改性丙烯酸共聚物、聚醚改性聚二甲基矽氧烷、丙烯酸酯聚二甲基矽氧烷共聚物、聚二甲基矽氧烷的一种或几种的组合；所述添加剂的添加量为混合酸水溶液质量的1-3%；所述添加剂的分子量为1200-20000。

2.根据权利要求1所述的一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，其特征在于：步骤（1）中，金属离子为金离子、银离子、铂离子、钯离子、铜离子、镍离子和钴离子的任意两种的组合；腐蚀液中，金属离子溶液的浓度为0.00001–0.05mol/L。

3.根据权利要求1所述的一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，其特征在于：步骤（1）中，所述氧化剂选自H₂O₂、O₃、CO₂、K₂Cr₂O₇、CrO₃、KIO₃、KBrO₃、NaNO₃、HNO₃、KMnO₄中的一种或几种的组合；所述氧化剂、浓氢氟酸和水的摩尔比为（1-3）：（3-7）：（12-19）。

4.根据权利要求1所述的一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，其特征在于：步骤（1）中，反应时间为15-300秒，反应温度为10-50℃；制得的黑硅在波长350-110纳米之间反射率在3.5%以下。

5.根据权利要求1所述的一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，其特征在于：步骤（2）中，所述混合酸水溶液为体积比1:2:7-1:9:20的浓氢氟酸、浓硝酸和水的混合。

6.根据权利要求1所述的一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，其特征在于：步骤（2）中，表面优化处理时间为45-300秒，反应温度为10-50^oC。