[发明专利]应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201610603222.1 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN107663080B | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 杨鹏远;朱煜;徐登峰;许岩;侯占杰;成荣;雷忠兴;韩玮琦;王建冲;唐娜娜 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C04B35/10;C04B35/622;B28B1/29 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 静电 卡盘 氧化铝陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷,其特征在于,所述氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成:
所述氧化铝陶瓷通过如下步骤制备:
步骤1:将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀,然后将混合粉料在900-1100℃下进行预烧3.5-6小时,随炉冷却至常温,然后研磨至粒径为100-200目,得到第一混合粉料;
步骤2:将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀,然后研磨至粒径为150-350目,得到第二混合粉料;
步骤3:在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂,进行第一次球磨搅拌;然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌,得到混合浆料;
步骤4:将所述混合浆料在流延机上进行流延,流延结束后将得到的厚度为0.1-1.0mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1000-1350℃下烧结2-5.5小时。
2.根据权利要求1所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷,其特征在于,所述氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成:
3.权利要求1-2任一所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀,然后将混合粉料在900-1100℃下进行预烧3.5-6小时,随炉冷却至常温,然后研磨至粒径为100-200目,得到第一混合粉料;
步骤2:将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀,然后研磨至粒径为150-350目,得到第二混合粉料;
步骤3:在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂,进行第一次球磨搅拌;然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌,得到混合浆料;
步骤4:将所述混合浆料在流延机上进行流延,流延结束后将得到的厚度为0.1-1.0mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1000-1350℃下烧结2-5.5小时。
4.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤1中预烧的温度为950-1050℃,预烧的时间为3.5-4小时。
5.根据权利要求4所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤1中研磨至粒径为100-150目。
6.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤2中研磨至粒径为200-250目。
7.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤3中第一次球磨搅拌和第二次球磨搅拌的时间都为24-48小时,所述混合浆料中氧化铝基成分的质量百分比为45-55%。
8.根据权利要求7所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤3中,有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种,分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种,粘接剂为聚乙烯醇、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种,增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯中的一种或几种。
9.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤4中流延片的厚度为0.2-0.3mm。
10.根据权利要求9所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤4中烧结的温度为1250-1300℃,烧结的时间为3-4小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造