[发明专利]封装堆迭结构的制法

权利要求书

1.一种封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法包括：

提供一第一无核心层式封装基板及一第二无核心层式封装基板，其中，该第二无核心层式封装基板的一侧设有至少一电子元件，且该第一无核心层式封装基板以第一绝缘层结合至一承载板；

将该第一无核心层式封装基板以多个第一导电元件结合至该第二无核心层式封装基板设有该电子元件的一侧上，且该第一无核心层式封装基板相对于结合该第二无核心层式封装基板的另一侧结合有该承载板；以及

形成封装层于该第一无核心层式封装基板与该第二无核心层式封装基板之间，以令该封装层包覆该多个第一导电元件与该电子元件。

2.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该第一无核心层式封装基板还包含第一介电层、及嵌埋于该第一介电层中并电性连接该多个第一导电元件的第一线路层。

3.如权利要求2所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该第一无核心层式封装基板还包含嵌埋于该第一介电层中并形成于该第一线路层上的多个第一导电柱，以令该多个第一导电元件藉由该第一导电柱电性连接该第一线路层。

4.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括于形成该封装层后，移除该承载板。

5.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括于形成该封装层后，移除该承载板。

6.如权利要求5所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括于移除该承载板后，于该第一绝缘层中形成多个第一开孔。

7.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该第二无核心层式封装基板与该电子元件之间形成有底胶。

8.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该第二无核心层式封装基板包含一线路增层结构，且令该第一导电元件与该电子元件电性连接该线路增层结构。

9.如权利要求8所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该第二无核心层式封装基板还包含形成于该线路增层结构上并电性连接该线路增层结构的多个第二导电元件，以令该多个第二导电元件结合该第一导电元件与该电子元件。

10.如权利要求9所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该封装层还包覆该多个第二导电元件。

11.如权利要求8所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该第二无核心层式封装基板还包含一形成于该线路增层结构上的第二绝缘层。

12.如权利要求11所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括于结合该第一与第二无核心层式封装基板之前，该第二无核心层式封装基板以该第二绝缘层结合另一承载板。

13.如权利要求12所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括于形成该封装层后，移除该另一承载板。

14.如权利要求13所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括于移除该另一承载板之后，于该第二绝缘层中形成多个第二开孔。

15.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括于形成该封装层后，设置另一电子元件于该第一无核心层式封装基板上。

16.如权利要求15所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法还包括形成封装材于该第一无核心层式封装基板上，以令该封装材包覆该另一电子元件。

17.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该多个第一导电元件先设于该第一无核心层式封装基板的一侧，再将该第一无核心层式封装基板结合至该第二无核心层式封装基板上。

18.如权利要求1所述的封装堆迭结构的制法，其特征为，该多个第一导电元件先设于该第二无核心层式封装基板的一侧，再将该第一无核心层式封装基板结合至该第二无核心层式封装基板上。