[发明专利]封装堆迭结构的制法

说明书

一种封装堆迭结构的制法，先提供一第一无核心层式封装基板，该第一无核心层式封装基板的一侧具有多个第一导电元件，而另一侧结合一承载板；接着，将该第一无核心层式封装基板以其第一导电元件结合至一第二无核心层式封装基板上，且该第二无核心层式封装基板上设有至少一电子元件；之后形成封装层于该第一无核心层式封装基板与该第二无核心层式封装基板之间，再移除该承载板。藉由堆迭两无核心层式封装基板，以减少该封装堆迭结构的厚度。

技术领域

本发明有关一种半导体封装制程，尤指一种封装堆迭结构的制法。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，业界遂发展出堆迭多个封装结构以形成封装堆迭结构(Package on Package，POP)的封装型态，此种封装型态能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如：记忆体、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，藉由堆迭设计达到系统的整合，而适用于各种轻薄短小型电子产品。

图1为悉知封装堆迭结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装堆迭结构1包含有第一半导体元件10、第一封装基板11、第二封装基板12、多个焊球13、第二半导体元件14以及封装胶体15。该第一封装基板11具有核心层110与多个线路层111，且该第二封装基板12具有核心层120与多个线路层121。该第一半导体元件10以覆晶方式设于该第一封装基板11上，且该第二半导体元件14亦以覆晶方式设于该第二封装基板12上。该些焊球13用以连结且电性耦接该第一封装基板11与该第二封装基板12。该封装胶体15包覆该些焊球13与该第一半导体元件10。可选择性地，形成底胶16于该第一半导体元件10与该第一封装基板11之间。

然而，前述悉知封装堆迭结构1中，第一封装基板11与第二封装基板12皆具有核心层110,120，导致其制作成本高，且封装堆迭结构1厚度H约为620微米，不符现今产品轻薄短小化的需求。

因此，如何克服悉知技术中的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述悉知技术的缺失，本发明提供一种封装堆迭结构的制法，藉由堆迭两无核心层式封装基板，以减少该封装堆迭结构的厚度。

本发明的封装堆迭结构的制法包括：提供一第一无核心层式封装基板及一第二无核心层式封装基板，其中，该第二无核心层式封装基板的一侧设有至少一电子元件；将该第一无核心层式封装基板以多个第一导电元件结合至该第二无核心层式封装基板设有该电子元件的一侧上；以及形成封装层于该第一无核心层式封装基板与该第二无核心层式封装基板之间，以令该封装层包覆该些第一导电元件与该电子元件。

前述的封装堆迭结构的制法中，该第一无核心层式封装基板还包含第一介电层、及嵌埋于该第一介电层中并电性连接该些第一导电元件的第一线路层。另外，该第一无核心层式封装基板还包含嵌埋于该第一介电层中并形成于该第一线路层上的多个第一导电柱，使该些第一导电元件藉由该第一导电柱电性连接该第一线路层。

前述的封装堆迭结构的制法中，该第一无核心层式封装基板的另一侧结合一承载板，例如，该第一无核心层式封装基板以第一绝缘层结合该承载板。还包括于形成该封装层后，移除该承载板。又于移除该承载板之后，形成多个第一开孔于该第一绝缘层上。

前述的封装堆迭结构的制法中，该第二无核心层式封装基板与该电子元件之间形成有底胶。