[发明专利]激光封装方法及激光封装装置有效
申请号: | 201610614574.7 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN107665826B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 李牧野 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 屈蘅;李时云<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 封装 方法 装置 | ||
本发明提供了一种激光封装方法及激光封装装置,通过调整光斑的轮廓分布和/或光斑能量分布以减少光斑沿非扫描向中心的积分剂量,使封装料沿非扫描向的温度分布满足均匀性要求;更重要的是,针对封装线中的特征区域,能够增大光斑尺寸以适应特征区的不同散热条件,使之适应各特征区的温度场条件需求。本发明提供的激光封装方法及激光封装装置,可以有效改善激光封装时在非扫描向温度分布不均匀的问题,甚至实现温度的均一化,增大了工艺窗口,从而提高激光封装的封装质量。
技术领域
本发明涉及边框封装技术,特别涉及一种激光封装方法及激光封装装置。
背景技术
代线(generation),世代的意思,指玻璃基板的尺寸。代线越大,面板的面积越大,就可以切出小液晶面板的数量越多。高世代生产线主要生产32英寸以上的大尺寸液晶面板,一般界定为六代线以上,简称高代线、高世代线。随着高世代封装需求量的提升,封装元件变得越来越大,同时窄边框(指从有源区边缘向外到封装料最外侧的距离,目前要实现0.6mm边框)的需求给激光封装带来了更严格的要求。
目前通常所用的技术,是使用激光光斑多为圆形平顶能量分布光斑,由于这种能量分布并不均匀,在激光封装过程中,会造成封装封装料在非扫描向温度分布不均匀,具体表现在封装料中心部分温度最高,越往边缘则温度越低。这种温度差将在封装过程中引入热应力,限制了工艺窗口,使得实际操作中更容易出现因封装料中心温度过高导致的过烧等缺陷,或是因封装料边缘温度过低导致的键合比不达标缺陷。此外,由于圆形平顶光斑的几何结构特殊性,需要两倍于封装线宽的光斑才能保证非扫描向积分光强不至于过度失衡,而光斑大小在高世代窄边框封装中,对有源区温度影响越来越大,因此常规的两倍于封装线宽的光斑尺寸的平顶光斑激光封装将很难应用在高世代窄边框封装中。更重要的是,单元在封装过程中具有各种特征区域,如电极有无,材料差异,线宽差异等,这些特征区的封装料散热条件不同。而常规光斑轮廓经过设计就已经固定,封装中无法变更,无法实现单元包括特征区的所有区域温度均一。
为了解决上述的问题,现在一般采用三种方法,但这三种方法都存在着一定的问题。一种是常规的通过掩膜遮挡的方法,但此方法在高世代封装中具有很高的成本;另一类方法是使用特殊的扫描模式,例如TWIST扫描法,但这种方法是以产率的牺牲为代价来获取相对均匀的封装温度场,此外对于扫描速度较快的准同步/动态准同步扫描封装,由于设备无法采用更高的频率进行圆周运动,这种方法只能适应部分封装参数低速的情况下;还有一种方法是使用特定能量分布的光斑,例如M型分布光斑。虽然M型分布光斑可改变光斑大小以控制有源区温度,但是常见的M型分布是以非扫描向剂量均匀性为目的调制而成,多用于加热线宽远大于光斑大小情况的激光焊接应用。在激光封装中,加热线宽小于等于光斑大小,由于热传导的边界效应,即使是非扫描向上剂量达到一致,封装料边界温度也低于中心区域温度,温度均匀性也无法达成一致,只能做到部分改善。并且,常规的M型分布光斑不能随着特征区域不同而变化,这使得M型分布光斑对单元特征区不具备适应性。
从以上的描述中可知,现有技术方法在提高封装质量的同时仍存在各种各样的问题,因此有必要发明一种新方法,在减少负面因素影响的前提下提高激光封装的封装质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光封装方法及激光封装装置,能够有效改善封装质量,扩大工艺窗口,可缩小光斑尺寸,降低对热影响区的不利影响,降低成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种激光封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、针对封装料材料及封装参数设置初始的光斑轮廓分布及光斑能量分布,建立激光封装的传热模型;
步骤2、采用所述传热模型进行封装仿真,得到所述封装料沿非扫描向的温度分布;
步骤3、判断所述封装料沿非扫描向的温度分布是否满足均匀性要求,是则执行步骤5,否则执行步骤4;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造