[发明专利]一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法有效
| 申请号： | 201610618672.8 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106002498B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 武聪;孟大磊;庞子博;徐永宽;于其凯;徐世海;洪颖;程红娟;王丽婧 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 dast 晶体 表面 研磨 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法，其特征在于：该研磨工艺其方法流程为：
第一步：在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨，将DAST晶体表面磨平；
第二步：按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨，以去除晶体表面不平整缺陷；
第三步：按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨，以去除研磨时的划痕，降低晶体表面粗糙度；
第四步：将DAST晶体置于分析纯的乙酸乙酯溶液中清洗，将晶体表面残留的研磨液和其它残留物清洗干净；
第五步：将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。
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