[发明专利]新型电容器封装结构在审
申请号: | 201610622885.8 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN107665772A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 钱明谷;陈明宗;林清封 | 申请(专利权)人: | 钰邦电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/224;H01G4/236 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 梁丽超,陈鹏 |
地址: | 214106 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 电容器 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种电容器封装结构,特别是涉及一种应用积层薄膜电容器的高信赖性新型电容器封装结构。
背景技术
电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通讯产品及汽车等的基本组件,其主要的作用包括:滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等。电容器依不同的材质及用途有不同的型态,主要包括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、金属化薄膜电容等。
现有的金属化薄膜电容是在聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚丙酯绝缘体薄膜表面覆上一层金属膜,并可依所需的电容质交替地层迭一定层数的绝缘体薄膜与金属膜,其中金属成分主要是铝、锌或其他导电性金属。然而,现有的金属化薄膜电容存在以下问题:(1)其常使用于多水气环境下,故容易因水气渗入内部而引起腐蚀,降低使用寿命;(2)无法彻底解决耐电流及耐压的矛盾,太薄的金属层会造成耐电流冲击能力差,而太厚的金属层会造成电容耐压下降。
发明内容
有鉴于现有技术存在之缺失,本发明之主要目的在于提供一种新型电容器封装结构,其透过封装技术的优化设计,可提升积层薄膜电容器的综合性能。
为达成上述目的,本发明采用以下技术方案:一种新型电容器封装结构,其包括一积层薄膜电容器、一封装单元、一第一引出端子及一第二引出端子。所述积层薄膜电容器包括两个端电极及一设置于两个所述端电极之间的积层体,其中所述积层体为多个金属层及多个介电层交互堆栈而成;所述封装单元包覆所述积层薄膜电容器;所述第一引出端子及所述第二引出端子分别与两个所述端电极电性连接。
在本发明一实施例中,所述积层薄膜电容器还包括一顶部保护层及一底部保护层,所述顶部保护层及所述底部保护层分别形成于所述积层体的顶部及底部上。
在本发明一实施例中,所述第一内埋部一端的两相反延伸末端与其中一个所述端电极直接接触,且所述第二内埋部一端的两相反延伸末端与另外一个所述端电极直接接触。
在本发明一实施例中,所述封装单元具有一上表面、一下表面及位于所述上表面与所述下表面之间且彼此相对的一第一侧表面和一第二侧表面。
在本发明一实施例中,所述积层薄膜电容器的两个所述端电极的延伸方向平行于所述第一侧表面及所述第二侧表面。
在本发明一实施例中,所述第一引出端子的一端及所述第二引出端子的一端分别接触两个所述端电极,所述第一引出端子的另一端从所述第一侧表面延伸出来并延伸至所述下表面,所述第二引出端子的另一端从所述第二侧表面延伸出来并延伸至所述下表面。
在本发明一实施例中,所述第一引出端子包括一第一内埋部及一由所述第一内埋部延伸所形成的第一裸露部,所述第一内埋部位于所述封装单元的内部且与任一所述端电极接触,所述第一裸露部位于所述封装单元的外部且与所述第一侧表面及所述下表面接触,所述第二引出端子包括一第二内埋部及一由所述第二内埋部延伸所形成的第二裸露部,所述第二内埋部位于所述封装单元的内部且与另一所述端电极接触,所述第二裸露部位于所述封装单元的外部且与所述第二侧表面及所述下表面接触。
在本发明一实施例中,所述封装单元为环氧树脂或硅树脂所制成。
在本发明一实施例中,所述封装单元包括一壳体及一密合于所述壳体的一开口的封盖,所述积层薄膜电容器设置于所述壳体内,所述第一引出端子及所述第二引出端子沿所述积层薄膜电容器往所述封盖的方向弯折延伸,所述第一引出端子的一端及所述第二引出端子的一端分别接触两个所述端电极,所述第一引出端子的另一端及所述第二引出端子的另一端从所述封盖穿出。
在本发明一实施例中,所述第一引出端子与所述第二引出端子的延伸方向相反。
本发明至少具有以下有益效果:本发明新型电容器封装结构透过”封装单元将积层薄膜电容器完全包覆,且第一和第二引出端子用以将积层薄膜电容器电性连接于外部电路”的设计,不仅可提高积层薄膜电容器的绝缘性能及抗水气和耐压能力等,使电容器的信赖性得以提升,而且还可符合各种规格需求,以增加实用性。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而所提供的附图仅用于提供参考与说明,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例之新型电容器封装结构的结构示意图。
图2为本发明之新型电容器封装结构中之积层薄膜电容器的结构示意图。
图3为本发明第二实施例之新型电容器封装结构的结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钰邦电子(无锡)有限公司,未经钰邦电子(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610622885.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多层片式瓷片电容的制作方法
- 下一篇:一种耐高压耐高温的电解液