[发明专利]导电性钙铝石型化合物粉末的制造方法

权利要求书

1.一种导电性钙铝石型化合物，其是通过包括如下工序的方法制造的：

(1)将钙铝石型化合物的原料粉末和水的混合物进行水热处理而形成钙铝石型化合物的前体粉末的工序；

(2)将前述前体粉末进行加热脱水而形成钙铝石型化合物粉末的工序；

(3)将前述钙铝石型化合物粉末在非活性气体气氛或真空中在400～1000℃的温度范围加热3小时以上而形成活化了的钙铝石型化合物粉末的工序；

(4)将前述活化了的钙铝石型化合物粉末与还原剂混合，在400～1100℃的温度范围加热，通过还原处理而将电子注入钙铝石型化合物的工序，

其特征在于，该导电性钙铝石型化合物的传导电子浓度为1×10¹⁵cm^-3以上，比表面积为5m²g^-1以上。

2.根据权利要求1所述的导电性钙铝石型化合物，其特征在于，传导电子浓度为2.3×10²¹cm^-3以下。

3.一种导电性钙铝石型化合物，其是通过包括如下工序的方法制造的：

(1)合成钙铝石型化合物的前体粉末的工序，该钙铝石型化合物是通过水热处理而获得的水合氧化物；

(2)将前述前体粉末进行加热脱水而形成钙铝石型化合物粉末的工序；

(3)将前述钙铝石型化合物粉末在非活性气体气氛或真空中在400～1000℃的温度范围加热3小时以上的工序，该工序称为前处理工序；

(4)将通过前述前处理工序得到的钙铝石型化合物粉末与还原剂混合，在400～1100℃的温度范围加热，通过还原处理而将电子注入钙铝石型化合物的工序，

其特征在于，该导电性钙铝石型化合物的传导电子浓度为1×10¹⁵cm^-3以上，比表面积为5m²g^-1以上并且为31m²g^-1以下。

4.根据权利要求1所述的导电性钙铝石型化合物，其特征在于，呈一次颗粒直径在100nm以下的粉末状，或呈具有细孔结构的块体的多孔体。

5.一种负载金属催化剂，其将金属负载于载体，其特征在于，上述载体为权利要求1所述的导电性钙铝石型化合物。

6.根据权利要求5所述的负载金属催化剂，其特征在于，上述金属为过渡金属。

7.根据权利要求6所述的负载金属催化剂，其特征在于，上述过渡金属具有氨合成活性。

8.根据权利要求5～7中任意一项所述的负载金属催化剂，其特征在于，上述载体的比表面积为31m²g^-1以下。

9.根据权利要求5所述的负载金属催化剂，其特征在于，呈一次颗粒直径在100nm以下的粉末状，或呈具有细孔结构的块体的多孔体。