[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一静态随机存取记忆胞，包括一读取端口与一写入端口，其中该写入端口包括：

一第一上拉金氧半导体装置与一第二上拉金氧半导体装置；及

一第一下拉金氧半导体装置与一第二下拉金氧半导体装置，与该第一上拉金氧半导体装置及该第二上拉金氧半导体装置形成交错栓锁反相器；

一第一金属层，具有位于该第一金属层内的一位元线、一第一CVdd导线与一第一CVss导线；

一第二金属层，位于该第一金属层上，其中一写入字元线是位于该第二金属层内，该写入字元线包括：

一条状部，具有横跨该静态随机存取记忆胞的均匀宽度；及

一凸出部，位于该条状部的一侧上且与之连结；及

一第三金属层，位于该第二金属层上，其中一读取字元线是位于该第三金属层内。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一第四金属层，位于该第二金属层与该第三金属层之间，其中该第四金属层具有沿垂直于该第一CVss导线的一方向延伸的一第二CVss导线。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，还包括一CVss电源网，其中该CVss电源网包括该第一CVss导线、该第二CVss导线，且还包括位于该第三金属层内的一第三CVss导线，其中该第一CVss导线、该第二CVss导线与该第三CVss导线是电性内连以形成该CVss电源网的一部。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该读取字元线的一第一宽度大于该写入字元线的一第二宽度。

5.如权利要求4所述的集成电路结构，其中该第一宽度相对于该第二宽度的一比率是大于1.5。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第二金属层的宽度大于该第三金属层的宽度。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中于该第三金属层内及该静态随机存取记忆胞之内，除该读取字元线外没有其他金属导线。

8.一种集成电路结构，包括：

一静态随机存取记忆胞，包括一读取端口与一写入端口，其中该写入端口包括：

一第一上拉金氧半导体装置与一第二上拉金氧半导体装置；及

一第一下拉金氧半导体装置与一第二下拉金氧半导体装置，与该第一上拉金氧半导体装置及该第二上拉金氧半导体装置形成交错栓锁反相器；

一第一金属层，具有位于该第一金属层内的一位元线、一第一CVdd导线与一第一CVss导线；

一写入字元线，位于该第一金属层上的一第二金属层内，其中该写入字元线包括：

一条状部，具有横跨该静态随机存取记忆胞的均匀宽度；及

一凸出部，具有位于该条状部的一侧上且与之连结；

以及

一读取字元线，其中该读取字元线是高于该写入字元线的两金属层。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，其中该凸出部具有小于该静态随机存取记忆胞的一第二长度的一第一长度，其中该第一长度是于该静态随机存取记忆胞的一纵长方向上测量得到的，且该第二长度是于该静态随机存取记忆胞的该纵长方向上测量得到的。

10.如权利要求8所述的集成电路结构，其中该静态随机存取记忆胞为八电晶体静态随机存取记忆胞。

11.如权利要求8所述的集成电路结构，其中该静态随机存取记忆胞为十电晶体静态随机存取记忆胞，并包括额外的一读取端口，且其中该读取端口与额外的该读取端口位于该写入端口的相对侧。

12.如权利要求8所述的集成电路结构，其中该读取字元线的一第一宽度大于该写入字元线的一第二宽度。

13.如权利要求12所述的集成电路结构，其中该第一宽度相对于该第二宽度的一比率是约1.5。