[发明专利]磁集成电感及磁集成电路

权利要求书

1.一种磁集成电感，其特征在于，包括：

两个平行的底板；

两个边柱，每一边柱的一端与所述两个平行的底板中的一个底板相接触，另一端与所述两个平行的底板中的另一个底板相接触，所述两个边柱相互平行，且所述两个边柱相隔离，每个边柱的中间位置包括第二气隙；

N个绕线柱，每一绕线柱的一端与所述两个平行的底板中的一个底板相接触，另一端与所述两个平行的底板中的另一个底板相接触，所述N个绕线柱位于所述两个边柱之间，所述N个绕线柱中的每一绕线柱均与所述两个边柱相互平行，所述N个绕线柱中每两个绕线柱相互隔离，且距离最近的边柱与绕线柱是隔离的，每个绕线柱上包括电感线圈，每个绕线柱的中间位置包括第一气隙；

中柱，所述中柱的一端与所述两个平行的底板中的一个底板相接触，另一端与所述两个平行的底板中的另一个底板相接触，所述中柱设置在两个相邻的绕线柱之间，距离所述中柱最近的绕线柱与所述中柱之间是隔离的，且所述中柱与所述两个边柱相互平行；

其中，N为大于或等于2的正整数。

2.根据权利要求1所述的磁集成电感，其特征在于，所述第一气隙沿高度方向上具有第一高度，所述第二气隙沿所述高度方向上具有第二高度，且所述第一高度大于所述第二高度；其中，所述高度方向为与所述两个平行的底板垂直的方向，所述第一高度与所述绕线柱的高度的比值小于1/2。

3.根据权利要求1所述的磁集成电感，其特征在于，所述第一气隙包括m个第三气隙，所述第三气隙沿高度方向上具有第三高度，所述第二气隙沿所述高度方向上具有第二高度，且所述第三高度乘以m的值大于所述第二高度；其中，所述高度方向为与所述两个平行的底板垂直的方向，m为大于或等于2的正整数。

4.根据权利要求3所述的磁集成电感，其特征在于，所述m个第三气隙中的每两个相邻的第三气隙之间为磁柱片，所述磁柱片沿所述高度方向上具有第四高度，其中，所述第四高度等于或小于所述第三高度。

5.根据权利要求3或4所述的磁集成电感，其特征在于，所述第三气隙填充有第一非导磁材料或第一磁材，其中，所述第一磁材的相对磁导率小于所述绕线柱所用的磁材的相对磁导率。

6.根据权利要求1至4任一项所述的磁集成电感，其特征在于，所述第二气隙填充有第二非导磁材料或第二磁材，其中，所述第二磁材的相对磁导率小于所述绕线柱所用的磁材的相对磁导率。

7.根据权利要求1至4任一项所述的磁集成电感，其特征在于，

与第一绕线柱相邻的边柱中靠近相邻的第一绕线柱的一侧沿平行于底板的切面为弧形结构，所述弧形结构的开口朝向所述第一绕线柱，所述第一绕线柱的一部分位于所述弧形结构形成的容纳部内。

8.根据权利要求1至4任一项所述的磁集成电感，其特征在于，所述中柱相对的两侧分别与两个不同的绕线柱相邻，所述中柱中相对的两侧沿平行于底板的切面均为弧形结构，每一所述弧形结构的开口均朝向相邻的绕线柱，且相邻的绕线柱的一部分位于对应的所述弧形结构形成的容纳部内。

9.根据权利要求1至4任一项所述的磁集成电感，其特征在于，所述N个绕线柱中每两个相邻的绕线柱上电感线圈的绕向是相反的。

10.根据权利要求1至4任一项所述的磁集成电感，其特征在于，所述第一气隙填充有第三非导磁材料或第三磁材，其中，所述第三磁材的相对磁导率小于所述绕线柱所用的磁材的相对磁导率。

11.根据权利要求1至4任一项所述的磁集成电感，其特征在于，N＝3，所述磁集成电感为三相磁集成电感。

12.一种磁集成电路，其特征在于，包括：

功率因数校正PFC升压电路，包括权利要求1-11任一项所述的磁集成电感，用于输出直流电压；

滤波输出电路，用于滤去所述直流电压中的纹波。

13.根据权利要求12所述的磁集成电路，其特征在于，所述磁集成电感为三相磁集成电感，所述磁集成电路为三相磁集成电路。

14.根据权利要求12或13所述的磁集成电路，其特征在于，所述磁集成电路为无桥PFC电路。

15.根据权利要求12或13所述的磁集成电路，其特征在于，所述磁集成电路还包括整流电路，用于将交流电转换为直流电。