[发明专利]晶体振荡元件及晶体振荡装置

权利要求书

1.一种晶体振荡元件，具有：

AT切割晶片，其具有台面部，和比所述台面部薄且包围所述台面部的外周部；

一对激励电极，其设置在所述台面部的两个主面上；以及

一对引出电极，其包含在所述外周部的一个主面上设置于所述晶片的长度方向端部的焊盘部，并与所述一对激励电极连接，

所述晶片的长度方向的长度在590μm以上790μm以下，

共振频率F＝37.4MHz，

当t＝1670/F，t为根据所述共振频率F换算的换算值时，所述焊盘部和所述台面部之间的距离y满足

3.0＜y/t＜4.0，

其中，y的单位为μm。

2.一种晶体振荡元件，具有：

AT切割晶片，其具有台面部，和比所述台面部薄且包围所述台面部的外周部；

一对激励电极，其设置在所述台面部的两个主面上；以及

一对引出电极，其包含在所述外周部的一个主面上设置于所述晶片的长度方向端部的焊盘部，并与所述一对激励电极连接，

所述晶片的长度方向的长度在730μm以上930μm以下，

共振频率F＝27.12MHz，

当t＝1670/F，t为根据所述共振频率F换算的换算值时，所述焊盘部和所述台面部之间的距离y满足

2.5＜y/t＜3.0，

其中，y的单位为μm。

3.一种晶体振荡元件，具有：

AT切割晶片，其具有台面部，和比所述台面部薄且包围所述台面部的外周部；

一对激励电极，其设置在所述台面部的两个主面上；以及

一对引出电极，其包含在所述外周部的一个主面上设置于所述晶片的长度方向端部的焊盘部，并与所述一对激励电极连接，

所述晶片的长度方向的长度在590μm以上930μm以下，

当将共振频率设为F，t＝1670/F，t为根据所述共振频率F换算的换算值时，所述焊盘部和所述台面部之间的距离y满足

0.048F+1.18＜y/t＜0.097F+0.36，

其中，F的单位为MHz，y的单位为μm。

4.一种晶体振荡元件，具有：

AT切割晶片，其具有台面部，和比所述台面部薄且包围所述台面部的外周部；

一对激励电极，其设置在所述台面部的两个主面上；以及

一对引出电极，其包含在所述外周部的一个主面上设置于所述晶片的长度方向端部的焊盘部，并与所述一对激励电极连接，

所述晶片的长度方向的长度在590μm以上790μm以下，

共振频率F＝37.4MHz，

当t＝1670/F，t为根据所述共振频率F换算的换算值，并将所述台面部主面到所述外周部主面的刻入量设为Md时，所述焊盘部和所述台面部之间的距离y满足

15＜y/Md＜30，

其中，Md的单位为μm，y的单位为μm。

5.一种晶体振荡元件，具有：

AT切割晶片，其具有台面部，和比所述台面部薄且包围所述台面部的外周部；

一对激励电极，其设置在所述台面部的两个主面上；以及

一对引出电极，其包含在所述外周部的一个主面上设置于所述晶片的长度方向端部的焊盘部，并与所述一对激励电极连接，

所述晶片的长度方向的长度在590μm以上930μm以下，

当将共振频率设为F，t＝1670/F，t为根据所述共振频率F换算的换算值，并将所述台面部主面到所述外周部主面的刻入量设为Md时，所述焊盘部和所述台面部之间的距离y满足

15×(0.048F+1.18)/3.0＜y/Md

＜30×(0.097F+0.36)/4.0，

其中，F的单位为MHz，Md的单位为μm，y的单位为μm。