[发明专利]晶体振荡元件及晶体振荡装置

说明书

本发明提供一种小型且CI较小的晶体振荡元件。振荡元件(5)具有晶片(15)、一对激励电极(17)以及一对引出电极(19)。晶片(15)是AT切割晶片，具有台面部(15m)和外周部(15p)，所述外周部(15p)比该台面部(15m)薄，且包围台面部(15m)。一对激励电极(17)设置在台面部(15m)的两个主面上。一对引出电极(19)包含在外周部(15p)的一个主面上设置于晶片(15)的长度方向端部的焊盘部(19a)，并与一对激励电极(17)连接。晶片(15)的长度方向的长度L小于1000μm，共振频率(F)为37.4MHz。当t＝1670/F时，焊盘部(19a)和台面部(15m)之间的距离y(μm)满足3.0＜y/t＜4.0。

技术领域

本发明涉及一种晶体振荡元件及具有该晶体振荡元件的晶体振荡装置。晶体振荡装置例如为晶体振子或晶体振荡器。

背景技术

已知有一种晶体振荡元件，其通过在AT切割晶片的两个主面上设置一对激励电极而构成(例如专利文献1)。这种晶体振荡元件具有一对引出电极，用于将该晶体振荡元件安装到元件搭载构件上。一对引出电极例如在晶片的长度方向端部具有一对焊盘部。并且，焊盘部与元件搭载构件的焊盘相对地配置，两者通过凸块(例如由导电性粘结剂构成)接合，从而如悬臂梁般对晶体振荡元件进行支撑。其结果为，容许晶体振荡元件在除长度方向端部以外的大部分进行振荡。

此外，作为上述晶体振荡元件，还已知有所谓的台面型晶体振荡元件(例如专利文献1)。在台面型晶体振荡元件中，晶片具有台面部和外周部，所述台面部上设置有一对激励电极，所述外周部位于台面部的外周，比台面部薄。一对引出电极的焊盘部设置于外周部。台面型晶体振荡元件容易将能量封闭在台面部中，因此，能够降低引出电极中的接合对振荡特性的影响。

在专利文献1中，在将从外周部的外缘到台面部的外缘(外周部的内缘)的距离设为dx(mm)时，提议使焊盘部在晶体振荡元件长度方向上的长度Sx(mm)比dx－0.05要小。该提议虽然与焊盘部的大小有关，但给出了将焊盘部与台面部之间的距离设为50μm以上的启示。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2008-263387号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

近年来，人们对晶体振荡元件小型化的需求日益高涨。但是，存在如果晶体振子小型化，则晶体阻抗(CI)会变大的趋势。因此，期望能提供一种小型且CI较小的晶体振荡元件及具有该晶体振荡元件的晶体振荡装置。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一实施方式所涉及的晶体振荡元件具有：AT切割晶片，其具有台面部，和比所述台面部薄且包围所述台面部的外周部；一对激励电极，其设置在所述台面部的两个主面上；以及一对引出电极，其包含在所述外周部的一个主面上设置于所述晶片的长度方向端部的焊盘部，并与所述一对激励电极连接，所述晶片的长度方向的长度小于1000μm，共振频率F＝37.4MHz，当t＝1670/F时，所述焊盘部和所述台面部之间的距离y(μm)满足3.0＜y/t＜4.0。

本发明的一实施方式所涉及的晶体振荡元件具有：AT切割晶片，其具有台面部，和比所述台面部薄且包围所述台面部的外周部；一对激励电极，其设置在所述台面部的两个主面上；以及一对引出电极，其包含在所述外周部的一个主面上设置于所述晶片的长度方向端部的焊盘部，并与所述一对激励电极连接，所述晶片的长度方向的长度小于1000μm，共振频率F＝27.12MHz，当t＝1670/F时，所述焊盘部和所述台面部之间的距离y(μm)满足2.5＜y/t＜3.0。