[发明专利]发光二极管驱动器及其驱动方法在审
申请号: | 201610645894.9 | 申请日: | 2016-08-09 |
公开(公告)号: | CN107708246A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 林铭锋 | 申请(专利权)人: | 东林科技股份有限公司;林铭锋 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 驱动器 及其 驱动 方法 | ||
1.一种发光二极管驱动器,其特征在于,包含:
一开关模块;
一储能模块,与该开关模块、一直流输入电源及一发光二极管灯连接并储存该直流输入电源输入的能量;以及
一处理模块,与该开关模块及该直流输入电源连接并切换该开关模块,使该储能模块输出能量至该发光二极管灯;
其中,该处理模块接收一预设工作周期以输出一调变信号以切换该开关模块,以使该发光二极管驱动器工作于一定功率输出模式。
2.根据权利要求1所述的发光二极管驱动器,其特征在于,该处理模块接收一预设输入电压并根据该预设输入电压控制该直流输入电源,使该发光二极管驱动器工作于该定功率输出模式。
3.根据权利要求1所述的发光二极管驱动器,其特征在于,该处理模块还包含一预设值输入端口,该处理模块通过该预设值输入端口接收该预设工作周期或一预设能量。
4.根据权利要求1所述的发光二极管驱动器,其特征在于,该预设工作周期小于或等于50%。
5.根据权利要求1所述的发光二极管驱动器,其特征在于,还包含一共振抑制电路,该共振抑制电路包含一二极管及一晶体管。
6.根据权利要求1所述的发光二极管驱动器,其特征在于,该开关模块为一金属氧化半导体场效晶体管或一双极性接面晶体管,该储能模块为一电感或一变压器,该处理模块为一微控制器。
7.根据权利要求2所述的发光二极管驱动器,其特征在于,该处理模块还包含一预设值输入端口,该处理模块通过该预设值输入端口接收该预设工作周期及该预设输入电压或一预设能量。
8.根据权利要求2所述的发光二极管驱动器,其特征在于,该发光二极管驱动器工作于一不连续传导模式。
9.根据权利要求5所述的发光二极管驱动器,其特征在于,该晶体管为一PNP双极性接面晶体管,该晶体管的集极与该二极管的正极连接,该晶体管的射极与该开关模块连接,该晶体管的基极与该储能模块的一端连接,该二极管的负极与该储能模块的另一端及该直流输入电源连接。
10.一种发光二极管驱动方法,该方法应用于一发光二极管驱动器,其特征在于,包含下列步骤:
由该发光二极管驱动器的一处理模块接收一预设工作周期或一预设能量;
通过该发光二极管驱动器的一储能模块储存一直流输入电源输入的能量;
通过该处理模块根据该预设工作周期输出一调变信号以切换该发光二极管驱动器的一开关模块;以及
经由该储能模块输出能量至一发光二极管灯,以使该发光二极管驱动器工作于一定功率输出模式。
11.根据权利要求10所述的发光二极管驱动方法,其特征在于,还包含下列步骤:
由该处理模块接收一预设输入电压,并根据该预设输入电压控制该直流输入电源,使该发光二极管驱动器工作于该定功率输出模式。
12.根据权利要求10所述的发光二极管驱动方法,其特征在于,该处理模块还包含一预设值输入端口,该处理模块通过该预设值输入端口接收该预设工作周期或一预设能量。
13.根据权利要求10所述的发光二极管驱动方法,其特征在于,还包含下列步骤:
由该处理模块根据该预设工作周期输出该调变信号切换该开关模块,以使该发光二极管驱动器工作于一不连续传导模式。
14.根据权利要求10所述的发光二极管驱动方法,其特征在于,该预设工作周期小于或等于50%。
15.根据权利要求10所述的发光二极管驱动方法,其特征在于,该开关模块为一金属氧化半导体场效晶体管或一双极性接面晶体管,该储能模块为一电感或一变压器,该处理模块为一微控制器。
16.根据权利要求11所述的发光二极管驱动方法,其特征在于,该处理模块还包含一预设值输入端口,该处理模块通过该预设值输入端口接收该预设工作周期及该预设输入电压或一预设能量。
17.根据权利要求11所述的发光二极管驱动方法,其特征在于,还包含下列步骤:
由该处理模块根据该预设工作周期输出该调变信号以切换该开关模块,并根据该预设输入电压控制该直流输入电源,以使该发光二极管驱动器工作于一不连续传导模式。
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