[发明专利]发光二极管驱动器及其驱动方法在审
申请号: | 201610645894.9 | 申请日: | 2016-08-09 |
公开(公告)号: | CN107708246A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 林铭锋 | 申请(专利权)人: | 东林科技股份有限公司;林铭锋 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 驱动器 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管驱动器,特别是一种定功率发光二极管驱动器。本发明还涉及此发光二极管驱动器的驱动方法。
背景技术
由于科技的进步,发光二极管(LED)照明装置的技术也愈来愈进步,发光二极管(LED)照明装置具有许多优点,如寿命长、节能、环保、体积小及反应速度快等,因此很适合成为未来的主流照明装置。
然而,目前大部分发光二极管照明装置的额定功率虽然相近,但其所使用额定电流或额定电压却不相同,而目前大部分发光二极管照明装置所采用的传统发光二极管驱动器为定电流驱动器;例如,若有三种不同的发光二极管照明装置,其额定电流/额定电压分别为80V/350mA、56V/500mA及40V/700mA,则需要350mA定电流驱动器、500mA定电流驱动器及700mA定电流驱动器,以分别驱动上述发光二极管照明装置。因此,制造商需要为不同的发光二极管照明装置设计不同定电流驱动器,使发光二极管照明装置的成本大幅地提升。
如图1所示为传统发光二极管驱动器的电路图,图中所示的为传统返驰式转换器(Flyback converter)1,其为一种常用的发光二极管驱动器。
如图所示,变压器TM储存直流输入电源Pin的能量,而脉波宽度调变电路PM则输出调变信号以切换开关S,使变压器TM输出其储存的能量至发光二极管灯LD,此外,传统返驰式转换器1还需包含回授电路FB,以传送电流回授信号至脉波宽度调变电路PM以调整其波宽,如此使传统返驰式转换器1可工作于定电流模式。
然而,由于传统返驰式转换器1需要设置回授电路FB,故为一个闭回路电路,因此在回授信号的相位移达到180°时,传统返驰式转换器1容易产生振荡,故返驰式转换器1的稳定性还有待提升。
此外,开关S的寄生电容(Coss)在开关S关闭时会与变压器的漏感产生共振,因此会进一步降低了返驰式转换器1的稳定性。
此外,由于脉波宽度调变电路PM输出的脉波的开启时间经常低于50%,而一般微控制器(MCU)内建的脉波宽度调变电路其输出的脉波的开启时间为50%时,其分辨率仅能达到56阶。因此,若使用者对发光二极管灯LD进行调光时,可以看到很明显的闪烁状况,故无法达到真正的无段调光,故返驰式转换器1的效能还需要进一步提升。而其它传统的发光二极管驱动器,如升/降压转换器(Buck&Booster converter),也有上述问题。
因此,如何提出一种发光二极管驱动器,能够有效改善现有的发光二极管驱动器成本过高、稳定性不佳且效能低落的情况已成为一个刻不容缓的问题。
发明内容
有鉴于上述现有技术中的问题,本发明的其中一目的就是提供一种发光二极管驱动器,以解决现有的发光二极管驱动器成本过高、稳定性不佳且效能低落的问题。
根据本发明的其中一目的,提出一种发光二极管驱动器,其可包含开关模块、储能模块及处理模块。储能模块可与开关模块、直流输入电源及发光二极管灯连接并可储存直流输入电源输入的能量。处理模块可与开关模块及直流输入电源连接并可切换开关模块,使储能模块输出能量至发光二极管灯。其中,处理模块可接收预设工作周期以输出调变信号以切换开关模块,以使发光二极管驱动器可工作于定功率输出模式。
根据本发明的其中一目的,再提出一种发光二极管驱动方法,其可包含下列步骤:由发光二极管驱动器的处理模块接收预设工作周期;通过发光二极管驱动器的储能模块储存直流输入电源输入的能量;通过处理模块根据预设工作周期输出调变信号以切换发光二极管驱动器的开关模块;以及经由储能模块输出能量至发光二极管灯,以使发光二极管驱动器工作于定功率输出模式。
根据本发明的其中一目的,又提出一种发光二极管驱动器,其可包含开关模块、储能模块及处理模块。储能模块可与开关模块、直流输入电源及发光二极管灯连接并可储存直流输入电源输入的能量。处理模块可与开关模块及直流输入电源连接并可接收预设调变参数以输出调变信号以切换开关模块,使储能模块可输出能量至发光二极管灯,以对发光二极管灯进行调光。其中,调变信号的脉波的开启时间的最大值的分辨率可包含多个阶段,处理模块可根据预设调变参数调整调变信号,使调变信号可包含多个实阶区段,且每个实阶区段还可包含虚拟阶区段。
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