[发明专利]含盐储层样品的制备及评价方法在审
申请号: | 201610651802.8 | 申请日: | 2016-08-10 |
公开(公告)号: | CN107727653A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 李勇;雷刚林;金旭;高志勇;唐雁刚;能源;吴超;周露;李建明;魏红兴;莫涛;邸宏利;史玲玲;王佐涛;王晓琦 | 申请(专利权)人: | 中国石油天然气股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84;G01N21/21;G01N21/64;G01N23/2251;G01N23/00;G01N1/28;G01N1/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 张洋,黄健 |
地址: | 100007 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含盐储层 样品 制备 评价 方法 | ||
1.一种含盐储层样品的制备方法,其特征在于,
包括:采用无水介质切割机将储层样品切割为试样,所述试样具有平整的第一表面和第二表面;
将所述试样的第一表面粘结在导电基底上;
将所述试样的第二表面进行清洁抛光处理;
在所述清洁抛光处理后的试样的第二表面上设置导电层;
将所述导电层与所述导电基底电连接。
2.根据权利要求1所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述无水介质切割机包括火焰切割机、气冷切割机、等离子切割机和激光切割机中的一种或者几种的组合。
3.根据权利要求1所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述试样的第一表面和第二表面平行。
4.根据权利要求3所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述试样为圆柱体或立方体;所述圆柱体的高度为0.5毫米至5毫米,或所述立方体的边长为0.5毫米至5毫米。
5.根据权利要求1所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述将所述试样的第二表面进行清洁抛光处理具体包括:
将所述试样的第二表面进行第一次清洁处理;
将所述第一次清洁处理后的试样的第二表面进行抛光处理;
将所述抛光处理后的试样的第二表面进行第二次清洁处理。
6.根据权利要求5所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述将所述试样的第二表面进行第一次清洁处理之前,还包括:将所述试样的第二表面进行无水研磨。
7.根据权利要求5所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述将所述试样的第二表面进行第一次清洁处理,具体包括:采用高流速的高压喷枪对所述试样的第二表面上附着的颗粒物进行喷吹。
8.根据权利要求5所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述将所述抛光处理后的试样的第二表面进行第二次清洁处理,具体包括:采用高流速的高压喷枪对所述试样的第二表面上附着的颗粒物进行喷吹。
9.根据权利要求5所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述将所述试样的第二表面进行抛光处理具体包括:采用氩离子束对所述第一次清洁后的试样的第二表面进行抛光。
10.根据权利要求5所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述将所述第一次清洁处理后的试样的第二表面进行抛光处理具体包括:将所述第一次清洁处理后的试样的第二表面的平整度抛光至微米级。
11.根据权利要求5所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述在所述清洁抛光处理后的试样的第二表面上设置导电层,具体包括:将所述导电层通过溅射或蒸镀的方式敷设在所述第二次清洁处理后的试样的第二表面上。
12.根据权利要求11所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述导电层的厚度为10纳米至30纳米,所述导电层的材料为铂、金、铱、碳和银中的一种或几种。
13.根据权利要求1所述的含盐储层样品的制备方法,其特征在于,所述将所述导电层与所述导电基底电连接具体为:通过导电物质将所述导电层与所述导电基底相连,其中,所述导电物质包括银导电胶、铜导电胶或碳导电胶中的一种或者几种。
14.一种含盐储层样品的评价方法,适用于如上述权利要求1-13任一所述的含盐储层样品制备方法中获得的含盐储层样品,其特征在于,
包括:采用光学显微镜选定并标记含盐区块;
在扫描电镜下获取所述标记含盐区块中盐的图像;
采用能谱仪鉴定所述标记含盐区块中盐类矿物的元素组成;
根据所述标记含盐区块中盐的图像内包含的亮度信息和所述标记含盐区块中盐类矿物的元素组成提取所述标记含盐区块中盐的分布规律及计算百分含量。
15.根据权利要求14所述的含盐储层样品的评价方法,其特征在于,所述光学显微镜包括普通光学显微镜、偏光显微镜、荧光显微镜中的一种或几种。
16.根据权利要求14所述的含盐储层样品的评价方法,其特征在于,所述扫描电镜包括场发射扫描电镜或钨灯丝扫描电镜。
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