[发明专利]集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 201610654576.9 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107154341A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 赖文隆;蒋振劼;郑志成;张简旭珂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成电路，包括：
晶体管；
第一介电层和蚀刻停止层，其中，所述第一介电层设置在所述晶体管和所述蚀刻停止层之间；
第一通孔，设置在所述第一介电层和所述蚀刻停止层中，并且电连接至所述晶体管；以及
第一导电层，与所述第一通孔接触，其中，所述第一通孔设置在所述第一导电层和所述晶体管之间，并且所述蚀刻停止层位于部分所述第一通孔旁边并且与所述第一导电层相邻。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一通孔包括金属层和扩散阻挡层，并且所述扩散阻挡层设置在所述金属层和所述第一导电层之间并且与所述第一导电层接触。
3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：接触件，设置在所述第一通孔和所述晶体管之间并且与所述第一通孔和所述晶体管接触。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述接触件设置在第二介电层中，并且所述第一通孔穿过所述蚀刻停止层和所述第一介电层并且延伸入所述第二介电层。
5.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述接触件设置在第二介电层中，并且所述接触件穿过所述第二介电层并且延伸入所述第一介电层。
6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括设置在所述第一导电层上方并且电连接至所述第一导电层的至少一个第二导电层和至少一个第二通孔。
7.一种集成电路，包括：
晶体管；
接触件，设置在所述晶体管上方并且与所述晶体管接触；
第一通孔，设置在所述接触件上方；以及
导电夹层，设置在所述接触件和所述第一通孔之间并且电连接所述接触件和所述第一通孔。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述接触件设置在第一介电层的第一开口中，所述第一通孔设置在第二介电层的第二开口中，并且所述导电夹层设置在所述第一开口和所述第二开口的一个中。
9.根据权利要求8所述的集成电路，还包括蚀刻停止层，其中，所述第二介电层设置在所述第一介电层和所述蚀刻停止层之间，所述第一通孔设置在所述第二介电层和所述蚀刻停止层的第二开口中。
10.一种集成电路的制造方法，所述制造方法包括：
提供具有在第一衬底上形成的晶体管和接触件的第一衬底，其中，所述晶体管形成在所述第一衬底和所述接触件之间；
提供具有在第二衬底上形成的第一通孔和第一导电层的第二衬底，其中，所述第一导电层形成在所述第二衬底和所述第一通孔之间；
通过连接所述接触件和所述第一通孔使所述第一衬底和所述第二衬底结合；以及
去除所述第二衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
