[发明专利]集成电路及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路及其制造方法。

背景技术

通常地，集成电路(ICs)包括在衬底上形成的诸如晶体管、电容器等的单独的器件。然后在单独的器件上方形成一个或多个金属层以提供单独的器件之间的连接并且提供到外部器件的连接。前段制程(FEOL)是IC制造的第一部分，其中，在晶圆中图案化单独的器件(晶体管、电容器、电阻器等)。FEOL通常覆盖了一切直到(但是不包括)金属层的沉积。后段制程(BEOL)是IC制造的第二部分，其中，单独的器件与晶圆上的引线或金属层互连。BEOL通常开始于在晶圆上沉积第一金属层。它包括接触件、绝缘层、金属层以及用于芯片到封装件的连接的结合位点。

发明内容

本发明的实施例提供了一种集成电路，包括：晶体管；第一介电层和蚀刻停止层，其中，所述第一介电层设置在所述晶体管和所述蚀刻停止层之间；第一通孔，设置在所述第一介电层和所述蚀刻停止层中，并且电连接至所述晶体管；以及第一导电层，与所述第一通孔接触，其中，所述第一通孔设置在所述第一导电层和所述晶体管之间，并且所述蚀刻停止层位于部分所述第一通孔旁边并且与所述第一导电层相邻。

本发明的另一实施例提供了一种集成电路，包括：晶体管；接触件，设置在所述晶体管上方并且与所述晶体管接触；第一通孔，设置在所述接触件上方；以及导电夹层，设置在所述接触件和所述第一通孔之间并且电连接所述接触件和所述第一通孔。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路的制造方法，所述制造方法包括：提供具有在第一衬底上形成的晶体管和接触件的第一衬底，其中，所述晶体管形成在所述第一衬底和所述接触件之间；提供具有在第二衬底上形成的第一通孔和第一导电层的第二衬底，其中，所述第一导电层形成在所述第二衬底和所述第一通孔之间；通过连接所述接触件和所述第一通孔使所述第一衬底和所述第二衬底结合；以及去除所述第二衬底。

附图说明

图1是根据一些实施例的示出集成电路的制造方法的流程图。

图2A至图2D是根据一些实施例的示出集成电路的制造方法的示意图。

图3A至图3D是根据一些实施例的示出集成电路的制造方法的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“顶部”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

图1是根据一些实施例的示出集成电路的制造方法的流程图。图2A至图2D是根据一些实施例的示出集成电路的制造方法的示意图。