[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其包含：

半导体基材，其上具有多个有源区域及介于所述多个有源区域之间的沟渠隔离区域，其中所述有源区域中的每一者具有长边和短边，其中所述长边沿着第一方向延伸；

多条埋入字线，其位于所述半导体基材中沿着第二方向延伸，其中所述有源区域中的每一者与所述多条埋入字线中的两条埋入字线相交，将所述有源区域中的每一者分为包括以下各者的三个部分：位线接触区及两个单元接触区，其中所述第二方向不垂直于所述第一方向；

位线接触，其直接设在所述位线接触区上；

存储节点接触，其直接设在所述两个单元接触区中的每一者上，其中所述位线接触与所述存储节点接触是共平面的；以及

至少一个位线，其在所述半导体基材的主表面上沿着第三方向延伸，其中所述至少一个位线直接接触所述位线接触。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第三方向与所述第二方向实质上是垂直的。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述多条埋入字线被嵌入所述半导体基材的所述主表面的下方。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述位线接触包含位线接触插塞和直接位在所述位线接触插塞上的第一金属插塞。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述位线接触插塞包含第一多晶硅层及位在所述第一多晶硅层上的第一中间金属层，其中所述第一金属插塞是直接接触所述第一中间金属层的。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述第一金属插塞与所述第一中间金属层是由同一材料构成的。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述第一金属插塞与所述第一中间金属层是由不同材料构成的。

8.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述位线接触插塞的表面积比所述位线接触区的面积大。

9.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其进一步包含第一环形间隙壁，其位于所述位线接触插塞上且围绕所述第一金属插塞。

10.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述位线包含金属层、位于所述金属层上的掩膜层、及在所述位线的相对侧壁上的侧壁间隙壁，其中所述金属层在结构上与所述第一金属插塞为一体成型的。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中所述金属层与所述第一金属插塞包含钨。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述位线接触插塞包含多晶硅。

13.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中所述存储节点接触包含单元接触插塞及直接位在所述单元接触插塞上的第二金属插塞。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中所述单元接触插塞包含第二多晶硅层及位于所述第二多晶硅层上的第二中间金属层，其中所述第二金属插塞是直接接触所述第二中间金属层的。

15.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中所述第二金属插塞与所述第二中间金属层是由同一材料构成的。

16.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中所述第二金属插塞与所述第二中间金属层是由不同材料构成的。

17.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中所述单元接触插塞的表面积大于所述两个单元接触区中的每一者的面积。