[发明专利]一种曲面上精密薄膜电路制作方法

权利要求书

1.一种曲面上精密薄膜电路制作方法，包括以下步骤：a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层；b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜；c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层；d)脱附烷烃硫醇分子掩膜；e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu，形成Cr掩膜；f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金；g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层，形成所需薄膜电路。

2.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：所述工件材料为陶瓷、或聚酰亚胺、或聚醚醚酮，所述工件表面粗糙度小于100nm。

3.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：所述的多层电路金属层和双金属辅助层溅射或蒸发后用高纯惰性气体保护备用。

4.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：所述的多层电路金属层由内到外为Cr/Cu、或Cr/Cu/Ni、或Ti/Cu、或TiW/Ni、或TiW/Cu，其中Cr、Ti、TiW金属的厚度在30nm～200nm之间，其他金属的厚度在0.1μm～10μm之间；所述双金属辅助层中Cr层厚度在30nm～200nm之间，所述双金属辅助层中Cu层厚度在50nm～1000nm之间。

5.根据权利要求4所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：所述的多层电路金属层中Cr、Ti、TiW金属的厚度为80nm，所述的多层电路金属层中其他电路层金属的厚度为3μm；所述双金属辅助层中Cr层厚度为100nm，所述双金属辅助层中Cu层厚度为200nm。

6.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：所述微接触印刷所用母版为聚二甲基硅氧烷凹版，微接触印刷的烷烃硫醇为碳原子数在16～22之间的正烷烃硫醇，印刷方式为滚动印刷或贴附印刷。

7.根据权利要求6所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：腐蚀双金属辅助层的Cu采用3-硝基苯磺酸-聚乙烯胺腐蚀液；腐蚀双金属辅助层的Cr用盐酸腐蚀液，腐蚀时用不锈钢镊子轻触Cr表面。

8.根据权利要求7所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：微接触印刷的烷烃硫醇为碳原子数在18的正烷烃硫醇。

9.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：以Cr为掩膜电镀金时，镀金液为氰化物镀金液，镀金阳极为金箔或金片。

10.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法，其特征在于：脱附烷烃硫醇分子掩膜采用在四氢呋喃有机溶剂中利用超声或搅拌的方式进行脱附。