[发明专利]抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法

说明书

本发明涉及抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法，更详细地说，涉及如下的抗蚀剂剥离液组合物，该抗蚀剂剥离液组合物通过包含有机胺化合物、化学式1所表示的酰胺和在苯环具有酸性取代基的苯并三唑系防腐蚀剂，从而显示出优异的剥离能力，与此同时，能够使对下部金属配线、绝缘膜的腐蚀最小化，并且经时稳定性优异，能够从根本上抑制自身反应导致的抗蚀剂剥离能力下降、副产物生成等问题。

技术领域

本发明涉及抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法。

背景技术

光致抗蚀剂(Photoresist)是能够利用通过光的光化学反应在所需的基板上将预先画在光掩模(Photomask)的微细图案显影的化学被膜，是与光掩模一起应用于曝光技术的高分子材料，被认为是对元件的集成度直接带来影响并决定最终的分辨率极限的主要因子。根据又名摩尔定律(Moore's law；半导体的集成度每2年增加2倍的理论)，为了将每年增加的电路的集成度放入被限定大小的半导体，需要将设计的电路进行更小的图案化(patterning)，因此半导体集成度的增加必然会不断要求新的光致抗蚀剂的开发。

为了制造半导体元件或高分辨率的平板显示器，一般使用利用这种光致抗蚀剂在基板上形成微细的配线的光刻工序，这是利用光致抗蚀剂的热特性、机械特性、化学特性在基板涂布光致抗蚀剂后，使其在一定波长的光中曝光(exposure)，进行干式蚀刻或湿式蚀刻的方法。

在利用了光致抗蚀剂的微细的图案化技术中，与开发新的光致抗蚀剂一同受到重视的领域是抗蚀剂剥离液(Stripper或Photoresist Remover)。光致抗蚀剂需要在工序结束后利用被称为剥离液(Stripper或Photoresist Remover)的溶剂除去，这是因为在蚀刻过程后不必要的光致抗蚀剂层和通过蚀刻和洗涤过程残留在基板上的金属残留物或变质的光致抗蚀剂残留物会引起使半导体制造的收率下降等问题。

作为代表性地使用的干式蚀刻法，可举出等离子体蚀刻、离子注入蚀刻等方法，在这种等离子体蚀刻的情况下，由于利用等离子体气体与导电层之类的物质膜之间的气相-固相反应进行蚀刻工序，所以等离子体蚀刻气体的离子和自由基与光致抗蚀剂引起化学反应，使光致抗蚀剂膜固化和变性，因此难以除去。另外，离子注入工序是在半导体/LED/LCD元件的制造工序中，为了在基板的特定区域赋予导电性，使磷、砷、硼等元素扩散的工序，离子与正性光致抗蚀剂引起化学反应而使其变性，因此仍然难以除去。

因此，要求对于蚀刻残渣的清除力和对于变质的光致抗蚀剂残留物的优异的剥离能力，具体而言，对于在干式蚀刻工序后发生的蚀刻残渣的清除力、对于下部金属配线和硅的腐蚀抑制力等要求相当高水平的剥离特性。

韩国公开专利第2011-0130563号中公开了光致抗蚀剂剥离组合物。

现有技术文献

专利文献

韩国公开专利第2011-0130563号

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于提供显示出优异的剥离能力，与此同时，使对下部金属配线、绝缘膜的腐蚀最小化的抗蚀剂剥离液组合物。

解决课题的方法

1.一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含有机胺化合物、下述化学式1所表示的酰胺和在苯环具有酸性取代基的苯并三唑系防腐蚀剂：

[化学式1]

(式中，R₁和R₂各自独立地为甲基或乙基)。