[发明专利]光致抗蚀剂剥离剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物及利用到该组合物的薄膜晶体管阵列的制造方法，尤其涉及一种光致抗蚀剂图案去除用剥离剂组合物及利用到该组合物的薄膜晶体管阵列的制造方法。

背景技术

光刻(photolithography)工艺是在基板上形成金属图案的一系列曝光工艺。光刻工艺利用于制造集成电路和包括集成电路等的半导体以及包括半导体的液晶显示装置等。

在光刻工艺中，作为感光性物质将光致抗蚀剂(photoresist)涂覆在形成有薄膜(例如，金属薄膜)的基板上，并在涂覆有所述光致抗蚀剂的基板上布置设计有图案的掩膜(mask)，并照射光而进行曝光(exposure)，然后对所述光致抗蚀剂进行显影(develop)而形成光致抗蚀剂图案。然后，将所述光致抗蚀剂图案利用为抗蚀膜而对所述薄膜进行蚀刻，然后利用光致抗蚀剂图案去除用剥离剂组合物(stripper)而除去残留在基板上的光致抗蚀剂图案。据此，可在基板上形成金属图案。

发明内容

所述光致抗蚀剂图案的去除工序通常在高温下进行，然而在高温环境中所述剥离剂组合物不仅损坏所述光致抗蚀剂图案而且还损坏所述金属薄膜，从而引起金属图案的断路性不良，或者使构成金属图案的金属性物质腐蚀。

不仅如此，现有的剥离剂组合物所含有的一部分物质属于有害化学物质，且在光致抗蚀剂图案去除工序之后所使用的剥离剂的后处理中消耗大量的成本。因此，需要开发一种可代替所述有害化学物质的新的剥离剂组合物。

鉴于此，本发明所要解决的技术问题为提供一种在不损坏薄膜图案的情况下能够只将光致抗蚀剂图案有效地去除/剥离的剥离剂组合物。

并且，本发明所要解决的技术问题在于提供一种对光致抗蚀剂图案的反应性优良的同时不包含对环境有害的毒性物质的剥离剂组合物。

本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种利用到新的光致抗蚀剂图案去除用剥离剂组合物的薄膜晶体管阵列的制造方法。

本发明的技术问题不限于如上所述的技术问题，本领域技术人员可通过如下的记载明确了解未提及的其他技术问题。

为了解决如上所述的技术问题，根据本发明的一个实施例的一种光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物，相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含：15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N-二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量％的胺系化合物。

在用于解决所述技术问题的根据本发明的一个实施例的光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物中，所述非质子性极性溶剂还可以包含从如下的物质中选择的一种或一种以上的物质：二甲亚砜、N-甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、N,N-二甲基咪唑、γ-丁内酯、环丁砜、四氢糠醇。

在用于解决所述技术问题的根据本发明的一个实施例的光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物中，所述质子性极性溶剂可以是从如下的物质中选择的一种或一种以上的物质：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇甲醚、三乙二醇乙醚、三乙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇甲醚以及二丙二醇乙醚。

在用于解决所述技术问题的根据本发明的一个实施例的光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物中，所述胺系化合物可以是从如下的物质中选择的一种或一种以上的物质：单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甘醇胺、二甘醇胺、单异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、氨乙基乙醇、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨乙基)哌嗪、1-(2-羟乙基)甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、2-甲基哌嗪以及1-氨基-4-甲基哌嗪。

在用于解决所述技术问题的根据本发明的一个实施例的光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物中，相对于所述剥离剂组合物的总重量而还可以包含：0.0001重量％至2重量％的防腐剂。

在用于解决所述技术问题的根据本发明的一个实施例的光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物中，所述防腐剂可以是从如下的物质中选择的一种或一种以上的物质：山梨醇、木糖醇、邻苯二酚、连苯三酚、没食子酸、2-丁炔-1,4-二醇、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐、水杨酸、抗坏血酸以及三唑系化合物。