[发明专利]制作晶圆级封装的方法

权利要求书

1.一种制作晶圆级封装的方法，其包含：

提供一载板；

于所述载板上形成一重分布层(RDL)；

于所述重分布层上设置半导体晶粒；

使用模塑料模塑所述半导体晶粒和所述重分布层的上表面，以构成一模塑晶圆；

向所述模塑晶圆施加一抛光工艺，从所述模塑晶圆仅去除所述模塑料的一中央部分，以在所述模塑料的经去除的所述中央部分的原处形成一凹陷区域以及环绕所述凹陷区域的一外围周边环形部分，其中所述外围周边环形部分比所述中央部分厚；

在此之后，移除所述载板，暴露出所述重分布层的一底面；

于所述重分布层的所述底面上形成凸块或锡球；以及

在此之后，执行切割工艺以将所述外围周边环形部分从所述模塑晶圆上分离出来。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在移除所述载板之后，所述方法进一步包含：

于所述重分布层的所述底面上形成一防焊层；以及

于所述防焊层中形成开孔，分别暴露出位于所述重分布层内的锡球焊盘。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述凸块或锡球是分别形成在所述锡球焊盘上。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在执行所述切割工艺之后，执行一晶圆切割工艺以分离出个别的晶圆级封装。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在将半导体晶粒设置于所述重分布层上之前，所述方法进一步包含：

于所述重分布层上形成多数个凸块。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述重分布层包含至少一介电材料以及至少一金属材料。