[发明专利]制作晶圆级封装的方法

说明书

本发明公开了一种制作晶圆级封装的方法。先提供一载板，再于载板上形成一重分布层，再于重分布层上设置半导体晶粒，将半导体晶粒模塑在一模塑料中，构成一模塑晶圆，接着进行一抛光工艺，抛光去除模塑料一中央部分，形成一凹陷区域及一外围周边环形部分，再去除载板，暴露出重分布层一底面，再于重分布层的底面上形成凸块或锡球。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种制作晶圆级封装(wafer levelpackage，WLP)的方法。

背景技术

半导体技术发展非常快，尤其在半导体芯片朝向微型化发展的趋势下，对于半导体芯片的功能则越要求更多样性。这也就是说，半导体芯片上必然会有更多的输出/输入(I/O)垫被设置在一个更小的区域中，因此，半导体芯片上的接合垫密度迅速提高，导致半导体芯片的封装变得更加困难。

现有技术中，晶圆级封装(WLP)是在将晶粒切割分离之前先进行封装。晶圆级封装技术包含例如更短的生产周期时间和较低的成本的优点。扇出晶圆级封装(FOWLP)是将半导体芯片的接触垫通过基板上的重分布层(RDL)再分配到一较大的面积上的一种封装技术。重分布层(RDL)通常形成在一基板上，例如包含穿板通孔(TSV)的中介层基板。

重分布层通常由另外的金属层及介电层所构成，其形成在晶圆表面，将芯片的I/O垫重新绕线成间距较宽松的布局图案。制作重分布层通常包含形成薄膜聚合物，例如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)或其它有机聚合物，以及金属化工艺，例如，铝金属或铜金属，如此将接合垫重绕线到一面积阵列组态。

现有的晶圆级封装工艺，通常需要进行两次或三次的临时载板接合工艺，以方便晶圆处理。这些载板在处理晶圆时提供了模塑晶圆足够的机械支持。

发明内容

本发明的主要目的在提供一种改良的方法，以制作出晶圆级封装(WLP)，可以省去临时载板接合步骤。

根据本发明一实施例，一种制作晶圆级封装的方法，包含：提供一载板；于所述载板上形成一重分布层；于所述重分布层上设置半导体晶粒；将所述半导体晶粒模塑在一模塑料中，如此构成一模塑晶圆；进行一抛光工艺，抛光去除所述模塑料的一中央部分，如此形成一凹陷区域以及一外围周边环形部分，环绕所述凹陷区域；去除所述载板，暴露出所述重分布层的一底面；以及于所述重分布层的所述底面上形成凸块或锡球。

毋庸置疑的，所述领域的技术人士读完接下来本发明优选实施例的详细说明与附图后，均可了解本发明的目的。

附图说明

图1到图10为根据本发明一实施例的剖面示意图，说明制作一晶圆级封装的方法。

其中，附图标记说明如下：

4 模塑晶圆

300 载板

410 重分布层(RDL)

412 介电层

414 金属层

414a 锡球焊盘

414b 凸块焊盘

416 凸块

420 覆晶芯片或晶粒

500 模塑料

501 凹陷区域

502 外围周边环形部分

510 防焊层

510a 开孔

520 凸块或锡球

具体实施方式