[发明专利]FinFET器件及其形成方法

权利要求书

1.一种FinFET器件，包括：

衬底，具有在第一方向上延伸的至少一个第一鳍和至少一个第二鳍；

第一栅极，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸且横跨所述至少一个第一鳍，

第二栅极，在所述第二方向上延伸且横跨所述至少一个第二鳍，其中，所述第一栅极和所述第二栅极的端面向彼此；以及

在所述第一方向上延伸的单一间隔壁，位于所述第一栅极和所述第二栅极的所述端之间且与所述第一栅极和所述第二栅极的每个的栅极介电材料物理接触。

2.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述单一间隔壁包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铜、氧化镍、氧化锌、氧化镧锰或氧化镧铜。

3.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述栅极介电材料包括具有大于7的介电常数的介电材料。

4.根据权利要求1所述的FinFET器件，还包括：

第一间隔件，设置在所述第一栅极旁边；

第二间隔件，设置在所述第二栅极旁边；以及

第三间隔件，设置在所述单一间隔壁旁边。

5.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述单一间隔壁由单一的绝缘材料制成。

6.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述至少一个第一鳍包括多个第一鳍且所述第一栅极横跨所述多个第一鳍，以及所述至少一个第二鳍包括多个第二鳍且所述第二栅极横跨所述多个第二鳍。

7.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述单一间隔壁横贯NMOS区域和PMOS区域。

8.一种形成FinFET器件的方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有位于所述衬底上的至少一个第一鳍和至少一个第二鳍且具有形成为覆盖所述至少一个第一鳍和所述至少一个第二鳍的下部的隔离层；

在所述至少一个第一鳍和所述至少一个第二鳍之间形成条形图案；

在所述条形图案旁边形成两个间隔壁；

去除所述条形图案以及去除所述间隔壁的一个间隔壁；

分别横跨所述至少一个第一鳍和所述至少一个第二鳍形成第一伪栅极和第二伪栅极，其中，所述第一伪栅极和所述第二伪栅极端对端地布置且位于剩余的所述间隔壁旁边；

在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极以及所述间隔壁周围形成介电层；

去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极以在所述介电层中形成第一沟槽和第二沟槽；以及

在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成第一栅极和第二栅极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的步骤包括：

在所述至少一个第一鳍、所述至少一个第二鳍和所述间隔壁周围形成伪层；

在所述伪层上形成掩模图案；以及

通过使用所述掩模图案和所述间隔壁作为蚀刻掩模来去除所述伪层的部分。

10.一种FinFET器件，包括：

衬底，具有位于第一区域中的第一鳍和第二鳍以及位于第二区域中的第三鳍和第四鳍；

第一栅极和第二栅极，分别横跨所述第一鳍和所述第二鳍，其中，所述第一栅极和所述第二栅极的端面向彼此；

第三栅极和第四栅极，分别横跨所述第三鳍和所述第四鳍，其中，所述第三栅极和所述第四栅极的端面向彼此；

间隔壁，位于所述第一栅极的所述端面和所述第二栅极的所述端面之间以及位于所述第三栅极的所述端面和所述第四栅极的所述端面之间；以及

两个间隔件，位于所述间隔壁旁边，其中，所述间隔件的一个位于所述第一栅极和所述第三栅极之间，以及所述间隔件的另一个位于所述第二栅极和所述第四栅极之间。