[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

衬底，在所述衬底上具有至少两个鳍；

多个隔离件，设置在所述衬底上，位于所述鳍之间的每个所述隔离件包括凹槽轮廓，其中，所述凹槽轮廓为含笑曲线轮廓，具有含笑曲线轮廓的每个所述隔离件包括第一突出部分和第二突出部分，分别具有光滑过渡的顶部和底部，所述底部比所述光滑过渡的顶部更宽，所述光滑过渡的顶部的最高点在竖直方向上的投影与所述鳍隔开；

栅极堆叠件，设置在所述鳍的部分上方和所述隔离件上方，其中，所述隔离件从所述鳍的第一端连续延伸横跨所述栅极堆叠件并且延伸至所述鳍的与所述第一端相对的第二端，并且其中，所述隔离件的所述含笑曲线轮廓的位于所述栅极堆叠件正下方的所述第一突出部分和所述第二突出部分均通过所述栅极堆叠件与所述鳍间隔开，并且在所述第一突出部分和所述第二突出部分与相应的所述鳍之间的位置，所述栅极堆叠件与相应的所述鳍直接接触；以及

应变材料部分，覆盖由所述栅极堆叠件暴露的所述鳍，

所述凹槽轮廓是对称的，以使得所述凹槽轮廓的所述第一突出部分的所述顶部的两侧光滑过度侧面，分别与所述凹槽轮廓的所述第二突出部分的所述顶部的两侧光滑过度侧面对称，所述顶部的与所述应变材料部分接触的侧面相对于所述鳍的侧面偏离，所述应变材料部分的由所述隔离件围绕的部分的横向尺寸沿远离所述鳍的方向逐渐增大，

其中，所述应变材料部分的由所述隔离件围绕的部分由所述多个隔离件中的第一隔离件和与所述第一隔离件相邻的第二隔离件的相应突出部分限定，所述相应突出部分朝向远离所述鳍的方向偏移并且所述应变材料部分的在所述相应突出部分的顶部之间的宽度大于所述鳍的宽度。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一突出部分和所述第二突出部分之间的高度差小于3nm。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述第一突出部分和所述第二突出部分分别具有介于0.5nm至5nm的范围内的半极大处全宽度。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其中，每个所述鳍的高度都小于每个所述隔离件的所述第一突出部分的高度或所述第二突出部分的高度。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其中，每个所述鳍的高度都大于每个所述隔离件的第一突出部分的高度或第二突出部分的高度。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，每个所述隔离件的凹槽轮廓的深度大于2nm。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述应变材料部分包括覆盖所述鳍的第一端的至少两个源极和覆盖所述鳍的第二端的至少两个漏极，所述第一端和所述第二端由所述栅极堆叠件暴露，覆盖所述鳍的第一端的源极彼此分离，和覆盖所述鳍的第二端的漏极彼此分离。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述应变材料部分包括覆盖所述鳍的第一端的至少两个源极和覆盖所述鳍的第二端的至少两个漏极，所述第一端和所述第二端由所述栅极堆叠件暴露，覆盖所述鳍的第一端的源极彼此连接，和覆盖所述鳍的第二端的漏极彼此连接。