[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法

说明书

本发明实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上，位于鳍之间的每个隔离件包括凹槽轮廓。栅极堆叠件设置在鳍的部分上方和隔离件上方。应变材料部分覆盖由栅极堆叠件暴露的鳍。此外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

技术领域

本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

背景技术

随着半导体器件的尺寸不断缩小，已经开发出诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维多栅极结构以代替平面互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。FinFET的结构性特征是从衬底的表面垂直延伸的硅基膜，并且包裹环绕由鳍形成的导电沟道的栅极进一步提供了对沟道的更好的电控制。源极/漏极(S/D)的轮廓对于器件性能是至关重要的。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，在所述衬底上具有至少两个鳍；多个隔离件，设置在所述衬底上，位于所述鳍之间的每个所述隔离件包括凹槽轮廓；栅极堆叠件，设置在所述鳍的部分上方和所述隔离件上方；以及应变材料部分，覆盖由所述栅极堆叠件暴露的所述鳍。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，包括至少两个鳍，每个所述鳍具有凹进部分；多个隔离件，设置在所述衬底上以隔离所述鳍，每个所述隔离件包括第一突出部分和第二突出部分以形成凹槽轮廓，并且所述第一突出部分和所述第二突出部分之间的高度差小于3nm；栅极堆叠件，设置在所述鳍的部分上方和所述隔离件上方；以及应变材料部分，填充所述鳍的凹进部分并且覆盖由所述栅极堆叠件暴露的所述鳍。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：提供衬底；图案化所述衬底以形成至少两个鳍和多个沟槽；在所述衬底上形成绝缘材料以覆盖所述鳍和填充所述沟槽；去除所述绝缘材料的部分以在所述沟槽中形成多个隔离件，并且每个所述隔离件包括凹槽轮廓；在所述鳍的部分上方和所述隔离件的部分上方形成栅极堆叠件；以及在由所述栅极堆叠件暴露的所述鳍上方形成应变材料部分。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的示出制造FinFET的方法的流程图。

图2A至图2H是根据一些实施例的用于制造FinFET的方法的透视图。

图3A至图3H是根据一些实施例的用于制造FinFET的方法的截面图。

图4是根据一些实施例的图3H的放大图。

图5是根据一些实施例的示出FinFET的截面图。

图6是根据一些实施例的FinFET的透视图。

图7是根据一些实施例的FinFET的截面图。

图8是根据一些实施例的示出FinFET的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例以实现本发明的不同特征。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本发明。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本发明。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括第一部件和第二部件以直接接触方式形成的实施例，也可以包括额外的部件可以形成在第一和第二部件之间，使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各实施例中重复参考标号和/或字符。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。