[发明专利]量子点电致发光器件

权利要求书

1.一种量子点电致发光器件，包括：

基板(10)；

像素限制结构(20)，设置在所述基板(10)上，相邻的所述像素限制结构(20)之间具有子像素区域；

量子点电致发光层结构(30)，设置在所述子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构(31)和第二量子点电致发光层结构(32)；

量子点光致发光层(40)，设置在所述第一量子点电致发光层结构(31)的远离所述基板(10)的表面上，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括：

耦合匹配层(50)，设置在所述第二量子点电致发光层结构(32)的远离所述基板(10)的表面上、所述量子点光致发光层(40)的远离所述基板(10)的表面上以及所述像素限制结构(20)的远离所述基板(10)的表面上，所述耦合匹配层(50)的折射率大于所述第一量子点电致发光层结构(31)、所述第二量子点电致发光层结构(32)和所述量子点光致发光层(40)中含有量子点的层结构的折射率，所述耦合匹配层(50)与所述层结构的折射率差值为0.2～1.0。

2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，形成所述耦合匹配层(50)的材料选自Ta₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、ZnSe和ZnS中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述耦合匹配层(50)的厚度15nm～80nm之间。

4.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点光致发光层(40)的厚度为2～5μm之间。

5.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点电致发光层结构(30)为蓝光量子点电致发光层结构，所述量子点光致发光层(40)为黄色量子点光致发光层或掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层。

6.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点光致发光层(40)为掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层时，所述量子点光致发光层(40)中所述红色量子点的占总量子点的质量百分比为1～10％。

7.根据权利要求5或6所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括滤光膜(70)，所述滤光膜(70)设置在位于所述量子点光致发光层(40)上的所述耦合匹配层(50)的远离所述基板(10)的表面上。

8.根据权利要求7所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括盖板(60)，

所述盖板(60)设置在所述滤光膜(70)裸露且远离所述基板(10)的表面上；或

所述盖板(60)设置在所述耦合匹配层(50)和所述滤光膜(70)之间。

9.根据权利要求7所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述子像素区域设定为BGRRGB子像素阵列结构，所述滤光膜(70)包括红色滤光膜(71)和绿色滤光膜(72)，所述红色滤光膜(71)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素设置，所述绿色滤光膜(72)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的G区子像素设置，且所述第一量子点电致发光层结构(31)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素和G区子像素设置，所述第二量子点电致发光层结构(32)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的B区子像素设置。

10.根据权利要求9所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述B区子像素的面积和所述R区子像素的面积相等，且所述G区子像素的面积为所述B区子像素面积的2倍。

11.根据权利要求9所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述基板(10)具有用于驱动像素的驱动电路(11)，所述像素限制结构(20)覆盖所述驱动电路(11)设置。