[发明专利]量子点电致发光器件

说明书

本发明提供了一种量子点电致发光器件。该器件包括基板；像素限制结构，设置在基板上，相邻的像素限制结构之间具有子像素区域；量子点电致发光层结构，设置在子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构和第二量子点电致发光层结构；量子点光致发光层，设置在第一量子点电致发光层结构的远离基板的表面上，量子点电致发光器件还包括：耦合匹配层，设置在第二量子点电致发光层结构的远离基板的表面上、量子点光致发光层的远离基板的表面上以及像素限制结构的远离基板的表面上，耦合匹配层的折射率大于量子点电致发光层结构和量子点光致发光层中含有量子点的层结构的折射率。耦合匹配层破坏基板与空气界面的全反射，解决了色坐标漂移问题。

技术领域

本发明涉及发光器件领域，具体而言，涉及一种量子点电致发光器件。

背景技术

现今主流的显示技术是LCD显示技术，其属于被动式发光，需要用背光源，存在着功耗居高不下，结构工艺复杂，成本高等诸多局限，而新兴起的有机发光器件(OLED)显示技术是主动式发光，由于使用有机发光材料，其寿命比LCD短很多，色域仅比LCD略高，而且OLED主流制备技术采用真空镀膜制程，成本比LCD大大增加。

顶发射的电致发光器件，光是从顶电极一侧出光，将像素驱动电路TFT制作在电致发光器件下方的基板上，这解决了器件像素驱动电路(薄膜晶体管TFT)和显示发光面积相互竞争的问题，大大提高器件的开口率，有利于制作高亮度、高分辨率的平板显示器件。为了使光的光取出效率达到最大，顶发射的电致发光器件一般采用反射率较高的金属作为底部反射电极，比如银电极，而顶部则为便于光取出的透明或半透明电极，比如ITO电极或厚度≤25nm的银电极。然而利用透明或半透明金属顶电极制备的顶发射电致器件时，由于顶部电极较高的反射率，会在器件中引入微腔效应，微腔效应是指在发光器件两电极之间中形成建设性干涉及破坏性干涉，而增强某特定波长的光，然而带来的缺点是不同角度的光强有所差异导致器件的视角变小，同时使颜色色坐标随视角的变化而变化。而有机发光器件(OLED)的有机发光材料半峰宽大，所以要利用微腔效应，微腔效应使得光的半峰宽变窄。

量子点显示技术具备全色域显示优势，色域值可以高达110％NTSC色域左右，超过传统的显示技术色域的覆盖率，展现出极致画质，从而更加自然原色的展现画面。其次，通过调节量子点晶粒尺寸，就可以方便、精确地调节其产生的光波波长，产生不同颜色的发光，从而可以更精准地控制色彩，达到精确的色彩还原显示效果，因此可以有效提升色彩的鲜艳度和真实感，提升画面层次，实现精准色彩表达。另外，量子点在红绿黄蓝四色上有着令人惊艳的表现能力，带来纯净的色彩显示。进一步地，量子点是无机材料，以其为材料设计的电视更加节能稳定，寿命长，成本低，将在同性能产品更加占据优势。但是，QLED存在上述微腔效应，量子点材料本身半峰宽较窄，所以量子点显示器件不需要利用微腔效应，但需要改善颜色色坐标随着视角的变化产生的漂移问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种量子点电致发光器件，以解决现有技术中量子点电致发光器件的颜色色坐标随着视角的变化产生的漂移问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种量子点电致发光器件，包括：基板；像素限制结构，设置在基板上，相邻的像素限制结构之间具有子像素区域；量子点电致发光层结构，设置在子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构和第二量子点电致发光层结构；量子点光致发光层，设置在第一量子点电致发光层结构的远离基板的表面上，量子点电致发光器件还包括：耦合匹配层，设置在第二量子点电致发光层结构的远离基板的表面上、量子点光致发光层的远离基板的表面上以及像素限制结构的远离基板的表面上，耦合匹配层的折射率大于量子点电致发光层结构和量子点光致发光层中含有量子点的层结构的折射率。

进一步地，上述耦合匹配层与层结构的折射率差值为0.2～1.0。

进一步地，形成上述耦合匹配层的材料选自Ta₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、ZnSe和ZnS中的一种或多种。