[发明专利]存储器装置、静态随机存取存储器阵列及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610712689.X 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN107025929B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 廖忠志 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/417 分类号: G11C11/417;H01L27/11;H01L21/8244
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 静态 随机存取存储器 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种静态随机存取存储器阵列,其特征在于,包括:

一第一静态随机存取存储器迷你阵列,包括位于上述静态随机存取存储器阵列的一第一列中的多个第一多功能性静态随机存取存储器单元,其中上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第一位元线;

一第二静态随机存取存储器迷你阵列,包括位于上述第一列中的多个第二多功能性静态随机存取存储器单元,其中上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第二位元线,上述第一位元线以及上述第二位元线是分别独立受到控制;以及

一静态随机存取存储器冗余阵列,介于上述第一静态随机存取存储器迷你阵列以及上述第二静态随机存取存储器迷你阵列之间,其中静态随机存取存储器冗余阵列包括位于上述第一列中的多个静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元,上述第一位元线的一第一终端以及上述第二位元线的一第二终端是设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中,

其中每个上述静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元是被永久地取消选取。

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,其中每个上述静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元包括:

一第一反相器;

一第二反相器,其中上述第一反相器的一第一输入端是电性连接至上述第二反相器的一第二输出端,并且上述第二反相器的一第二输入端是电性连接至上述第一反相器的一第一输出端;

一第一通道闸晶体管,电性连接至上述第一输入端;以及

一第二通道闸晶体管,电性连接至上述第二输入端。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器阵列,其中上述第一通道闸晶体管以及上述第二通道闸晶体管的栅极直接电性连接至电接地。

4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,其中上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的每一个共用一第一反相位元线,其中上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的每一个共用一第二反相位元线,上述第一反相位元线以及上述第二反相位元线分别独立受到控制,上述第一反相位元线的一第三终端以及上述第二反相位元线的一第四终端设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中。

5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,其中上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的每一个共用一第一电源电压线,其中上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的每一个共用一第二电源电压线,上述第一电源电压线的一第五终端以及上述第二电源电压线的一第六终端设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中。

6.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,还包括一第三位元线,介于上述第一位元线以及上述第二位元线之间,其中上述第三位元线是完全设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中。

7.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,其中位于上述第一列中的上述静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元包括:

一第一静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元,相邻于上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的一个;以及

一第二静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元,相邻于上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的一个以及上述第一静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元。

8.如权利要求7所述的静态随机存取存储器阵列,其中上述第一静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元具有一第一方向,上述第二静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元具有一第二方向,上述第二方向为上述第一方向沿着一第一边界垂直翻转,上述第一边界是介于上述第一静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元以及上述第二静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元之间。

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