[发明专利]含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：

(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水，

所述羟胺衍生物是选自羟胺、羟胺-O-磺酸、硫酸羟胺、N,N-二乙基羟胺、N-甲基羟胺、N,N-二苄基羟胺和N,N,O-三乙酰基羟胺中的一种以上。

2.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，含钼金属膜的蚀刻液组合物能够蚀刻由钼或钼合金构成的单层膜，或者由上述单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜。

3.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属氧化物膜是选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌中的一种以上。

4.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述由单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜是氧化铟膜/钼、氧化铟膜/钼合金、氧化铟膜/钼/氧化铟膜、或氧化铟膜/钼合金/氧化铟膜。

5.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述钼合金包含钼以及选自钕、钽、铟、铜、钯、铌、镍、铬、镁、钨、镤和钛中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化合物是选自氟化氢、氟化钠、氟化铵、氟硼酸铵、氟化氢铵、氟化钾、氟化氢钾、氟化铝和四氟硼酸中的一种以上。

7.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述唑系化合物是选自吡咯系、吡唑系、咪唑系、三唑系、四唑系、五唑系、噁 唑系、异噁 唑系、噻唑系和异噻唑系化合物中的一种以上。

8.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成栅极配线的步骤；

b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；

c)在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤；

d)在所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及

e)形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，

所述e)步骤包括在基板上形成含钼金属膜，并且用权利要求1～7中任一项所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物进行蚀刻而形成像素电极的步骤。