[发明专利]含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201610718266.9 | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN107287593B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 金镇成;金炼卓;梁圭亨 | 申请(专利权)人: | 东友精细化工有限公司 |
主分类号: | C23F1/14 | 分类号: | C23F1/14;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;陈彦 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 蚀刻 组合 利用 显示装置 阵列 制造 方法 | ||
本发明提供一种含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法,所述含钼金属膜的蚀刻液组合物以一定含量包含过氧化氢、氟化合物、唑系化合物、羟胺衍生物、和水。
技术领域
本发明涉及含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法。
背景技术
随着真正步入信息化时代,处理及显示大量信息的显示器领域实现了快速发展,得益于此,各种各样的平板显示器得到开发并受到关注。
作为这样的平板显示装置的例子,可举出液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay device:LCD)、等离子体显示装置(Plasma Display Panel device:PDP)、场发射显示装置(Field Emission Display device:FED)、有机发光元件(Organic LightEmitting Diodes:OLED)等。作为一例,液晶显示装置因如下特性而受到关注:提供由卓越的分辨率形成的鲜明的影像,耗电少,可较薄地制造显示器画面。
TFT-LCD等显示装置的像素电极中使用钼合金膜及金属氧化物膜的单层膜、或钼合金膜与金属氧化物膜的多层膜等。上述像素电极经由如下一系列光刻(lithography)工序而完成:一般通过溅射等方法层叠于基板上,并在其上均匀地涂布光致抗蚀剂。之后,通过刻有图案的掩模照射光,通过显影形成期望的图案的光致抗蚀剂。接着,通过干式或湿式蚀刻将图案转印到位于光致抗蚀剂下部的金属膜,然后通过剥离工序将没有必要的光致抗蚀剂去除。
在用相同的蚀刻液对上述钼合金膜和金属氧化物膜实施蚀刻时,能够简化制造工序,但一般而言钼合金膜存在因耐化学性优异而不易进行湿式蚀刻的问题。此外,根据处理张数的蚀刻性能差异大,因此存在使用寿命短、工艺费用提高、成本上升的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:韩国公开专利第10-2014-0042121号
发明内容
所要解决的课题
本发明是为了解决上述以往技术问题而提出的,
其目的在于提供蚀刻钼或钼合金的单层膜、或者包含上述单层膜和金属氧化物膜的多层膜时,随处理张数的侧蚀(side etch)变化量小,使用寿命优异的蚀刻液组合物。
此外,本发明的目的在于提供使用上述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。
解决课题的方法
本发明提供一种含钼金属膜的蚀刻液组合物,其特征在于,相对于组合物总重量,包含(A)过氧化氢5~30重量%、(B)氟化合物0.1~2重量%、(C)唑系化合物0.1~1重量%、(D)羟胺衍生物0.1~5重量%、和(E)余量的水。
此外,本发明提供显示装置用阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
a)在基板上形成栅极配线的步骤;
b)在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤;
c)在上述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤;
d)在上述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤;及
e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤,
上述e)步骤包括在基板上形成含钼(Mo)金属膜,并且用本发明的含钼金属膜的蚀刻液组合物进行蚀刻而形成像素电极的步骤。
发明效果
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