[发明专利]在半导体器件中制造自对准接触件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极结构，设置在衬底上方；

源极/漏极区域；

沟道区域，位于所述源极/漏极区域之间；以及

侧壁间隔件，设置在所述栅极结构的两侧壁上，其中：

所述侧壁间隔件包括至少四个间隔件层，包括从所述栅极结构顺序堆叠的第一间隔件层至第四间隔件层，

其中，第二间隔件层包括横向部分，所述横向部分在所述源极/漏极区域上方横向延伸并且部分地覆盖所述源极/漏极区域，并且

所述横向部分将第三间隔件层和第四间隔件层与所述源极/漏极区域分隔开，

其中，所述第二间隔件层与所述第三间隔件层之间的界面位于所述源极/漏极区域与所述沟道区域之间的界面处，并且所述第四间隔件层落于所述源极/漏极区域上，

接触插塞，延伸穿过所述第四间隔件层和所述第二间隔件层的横向部分直至与所述源极/漏极区域的一部分接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一间隔件层、第三间隔件层和第四间隔件层由氮化硅基材料制成，以及

所述第二间隔件层由氧化硅基材料制成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述氮化硅基材料包括SiN、SiCN、SiON或SiOCN，并且所述氧化硅基材料包括氧化硅。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件层由SiCN或SiOCN制成。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第四间隔件层由SiN或SiCN制成。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三间隔件层由SiCN或SiN或SiOCN制成。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三间隔件层由与所述第四间隔件层不同的材料或与所述第四间隔件层相同的材料制成。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三间隔件层和所述第四间隔件层的底部位于所述源极/漏极区域上面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括：

栅极介电层；

栅电极层，设置在所述栅极介电层上方；以及

覆盖层，由设置在所述栅电极上方的绝缘材料制成，

其中，所述侧壁间隔件的高度与所述覆盖层的高度相同。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成栅极结构；

在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧壁间隔件层；

在所述第一侧壁间隔件层上形成作为第二侧壁间隔件层的氧化物层；

在所述第二侧壁间隔件层上形成第三侧壁间隔件层；以及

在所述第三侧壁间隔件层和所述衬底上形成接触蚀刻停止层，其中：

形成所述第一侧壁间隔件层包括形成下层并在所述下层上方形成上层，并且

在形成所述下层以及在所述下层上方形成上层之间，执行离子注入穿过所述下层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述第一侧壁间隔件层、所述第三侧壁间隔件层和第四侧壁间隔件层由SiN、SiCN、SiON或SiOCN制成。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括，在形成第四侧壁间隔件层之后：

在具有所述第一侧壁间隔件层至第四侧壁间隔件层的所述栅极结构上方形成层间介电层；

通过使用所述接触蚀刻停止层作为蚀刻停止层，在所述层间介电层中形成接触孔；

去除所述接触孔中的接触蚀刻停止层；以及

用导电材料填充所述接触孔。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，通过氧化所述第一侧壁间隔件层形成所述氧化物层。