[发明专利]鳍式场效应晶体管隔离结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

半导体鳍，位于所述半导体衬底上；以及

彼此相邻的两个单元，位于所述半导体鳍上，所述半导体鳍具有由所述两个单元共享的共同边界处的鳍隔离结构，所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述半导体衬底的部分的气隙，其中，所述气隙将所述半导体鳍分为所述半导体鳍的两个部分并且与所述两个部分直接接触，所述鳍隔离结构包括覆盖所述气隙的顶部的介电覆盖层，

其中，所述气隙的顶部高于所述半导体鳍的顶部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体鳍的所述两个部分间隔开从5nm至50nm的范围内的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电覆盖层包括氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍隔离结构还包括：

两个伪栅极间隔件，分别位于所述半导体鳍的所述两个部分上并且将所述介电覆盖层夹在中间，

其中，所述气隙的顶部呈尖端，所述尖端构造为从两侧向中间逐渐靠近所述介电覆盖层的顶面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述气隙延伸在所述伪栅极间隔件的部分之间。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述介电覆盖层具有从所述伪栅极间隔件的顶面朝着所述半导体衬底延伸的厚度，并且所述厚度比每个所述伪栅极间隔件的高度小。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

外延层，位于所述半导体鳍的所述两个部分的每个部分的一侧处。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述两个单元的每个都具有跨跃在所述半导体鳍上方的栅极结构。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；以及

半导体鳍，位于所述半导体衬底上，所述半导体鳍的两个相对末端的每个都具有鳍隔离结构，所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述半导体衬底的部分的气隙，其中，所述气隙将所述半导体鳍分为所述半导体鳍的两个部分并且与所述两个部分直接接触，所述鳍隔离结构包括覆盖所述气隙的顶部的介电覆盖层，

所述气隙的顶部高于所述半导体鳍的顶部。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述鳍隔离结构还包括：

两个伪栅极间隔件，分别位于所述半导体鳍的所述两个部分上并且将所述介电覆盖层夹在中间，

其中，所述气隙的顶部呈尖端，所述尖端构造为从两侧向中间逐渐靠近所述介电覆盖层的顶面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述气隙延伸至所述伪栅极间隔件之间的部分。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述介电覆盖层具有从所述伪栅极间隔件的顶面朝着所述半导体衬底延伸的厚度，并且所述厚度比每个所述伪栅极间隔件的高度小。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

外延层，位于所述半导体鳍的所述两个部分的每个的一侧处。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述半导体鳍的所述两个部分间隔开从5nm至50nm的范围内的距离。

15.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

栅极结构，跨跃在所述半导体鳍上方。