[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及位于所述鳍片上的若干栅极结构，在所述栅极结构上还形成有包围并覆盖所述栅极结构的间隙壁层，所述半导体衬底上还形成有隔离材料层，所述隔离材料层部分地覆盖所述间隙壁层，以露出所述间隙壁层的顶部；

在所述间隙壁层的侧壁上形成保护层，以覆盖所述间隙壁层的侧壁；

同时在所述隔离材料层上和所述间隙壁层上形成介电层，以覆盖所述隔离材料层和所述间隙壁层；

图案化所述介电层，以形成开口，露出所述保护层；

以所述保护层为掩膜蚀刻所述介电层，以在相邻的所述栅极结构之间形成接触孔开口，其中，所述保护层保护所述接触孔开口的侧壁轮廓，以避免造成过蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述保护层之前还进一步包括对露出的所述间隙壁层进行修剪的步骤，以减小露出的所述间隙壁层的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括：

在所述隔离材料层上和所述间隙壁层上形成保护材料层，以覆盖所述隔离材料层和所述间隙壁层；

蚀刻所述保护材料层，以在所述间隙壁层的侧壁上形成所述保护层。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述保护层包括BN和TiN中的一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述接触孔开口之后所述方法还进一步包括去除所述保护层的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述间隙壁层的步骤包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有所述鳍片和所述栅极结构，所述栅极结构至少包括位于顶部的导电层，所述栅极结构的侧壁上形成有间隙壁材料层；

回蚀刻所述导电层，以在所述间隙壁材料层之间形成凹槽；

使用所述间隙壁材料层填充所述凹槽，以覆盖所述导电层，以形成包围所述栅极结构的所述间隙壁层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述隔离材料层的步骤包括：

在所述鳍片以及所述间隙壁层上形成隔离材料层，以覆盖所述鳍片和所述间隙壁层；

回蚀刻所述隔离材料层，以露出所述间隙壁层的顶部。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口的关键尺寸大于所述接触孔开口的关键尺寸。