[发明专利]晶圆临时键合的分离设备及方法有效
申请号: | 201610724375.1 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN107785298B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 张少华;潘盼 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 邓超 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 临时 分离 设备 方法 | ||
1.一种晶圆临时键合的分离设备,其特征在于,包括:
吸附装置,用于对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间预先通过粘合剂结合;
加热装置,用于对所述晶圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热;
移动装置,用于移动所述晶圆和所述衬底载片中的至少一个,分离所述晶圆和所述衬底载片;
所述移动装置包括夹具和推动装置,所述夹具用于夹住所述衬底载片,所述推动装置用于推动所述夹具。
2.根据权利要求1所述的晶圆临时键合的分离设备,其特征在于,所述推动装置为马达或者气缸。
3.根据权利要求1所述的晶圆临时键合的分离设备,其特征在于,所述夹具还包括卡槽,所述卡槽用于夹住所述衬底载片。
4.一种晶圆临时键合的分离方法,其特征在于,包括:
对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间预先通过粘合剂结合;
对所述晶圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热;
利用一移动装置移动所述晶圆和所述衬底载片中的至少一个,分离所述晶圆和所述衬底载片;所述移动装置包括夹具和推动装置,利用所述夹具夹住所述衬底载片,利用所述推动装置推动所述夹具。
5.根据权利要求4所述的晶圆临时键合的分离方法,其特征在于,对所述晶圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热的温度为粘合剂的流动温度。
6.根据权利要求4所述的晶圆临时键合的分离方法,其特征在于,对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,通过一真空装置进行吸附,所述真空装置吸附晶圆或衬底后的真空度数值为60~100KPA。
7.根据权利要求4所述的晶圆临时键合的分离方法,其特征在于,所述对晶圆衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间通过粘合剂结合的步骤之前还包括:
通过粘合剂将待加工晶圆和衬底载片结合在一起。
8.根据权利要求7所述的晶圆临时键合的分离方法,其特征在于,所述通过粘合剂将待加工晶圆和衬底载片结合在一起的步骤之后还包括:
对待加工晶圆进行处理以降低待加工晶圆的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司,未经苏州能讯高能半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610724375.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造