[发明专利]晶圆临时键合的分离设备及方法有效
申请号: | 201610724375.1 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN107785298B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 张少华;潘盼 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 邓超 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临时 分离 设备 方法 | ||
本发明提供了一种晶圆临时键合的分离设备及方法。本晶圆临时键合的分离方法包括以下步骤:对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间预先通过粘合剂结合;所述圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热;通过机械设备自动分离所述晶圆和所述衬底载片中的至少一个,分离所述晶圆和所述衬底载片。通过本晶圆临时键合的分离方法,能够改善传统手动晶圆拆键合过程中由于人为因素导致的晶圆器件破损的问题,工艺稳定,降低了人为干扰引起的工艺失误,增加产品合格率。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种晶圆临时键合的分离设备及方法。
背景技术
目前,随着封装结构的厚度逐渐降低,薄晶圆技术的优势越来越明显。由此薄晶圆以及薄芯片的处理成为了超薄产品的瓶颈,因此引出了临时键合和拆键合工艺。键合即通过粘合剂将晶圆与一衬底载片粘接在一起。键合之后经过减薄等工艺,衬底载片为薄晶圆提供机械上的支持保护,这样就可以通过标准器件晶圆制造厂的设备来进行背面工艺。对于超薄器件晶圆,便于实现薄晶圆器件的晶圆级工艺处理。然而,晶圆拆键合过程中,一般的行业内采用手动分离方式,分离治具为平口镊子、薄滤纸等进行分离,容易出现不稳定因素,薄晶圆在分离过程中没有支撑承载,缺少保护措施,当薄晶圆器件的厚度达到100um以下时,拆键合过程容易导致薄晶圆器件破裂。显然,现有的临时键合和拆键合的工艺风险大,工艺成本较高。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种临时键合分离设备及方法,以改善上述的问题。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
第一方面,本发明提供了一种晶圆临时键合的分离设备,包括:
吸附装置,用于对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间预先通过粘合剂结合;
加热装置,用于对所述晶圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热;
移动装置,用于移动所述晶圆和所述衬底载片中的至少一个,分离所述晶圆和所述衬底载片。
优选地,所述移动装置包括夹具和推动装置,所述夹具用于夹住所述衬底载片,所述推动装置用于推动所述夹具。
优选地,所述推动装置为马达或者气缸。
优选地,所述夹具还包括卡槽,所述卡槽用于夹住所述衬底载片。
第二方面,本发明还提供了一种晶圆临时键合的分离方法,该方法包括:
对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间预先通过粘合剂结合;
对所述晶圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热;
移动所述晶圆和所述衬底载片中的至少一个,分离所述晶圆和所述衬底载片。
优选地,对所述晶圆和所述衬底载片之间的粘合剂进行加热的温度为粘合剂的流动温度。
优选地,对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,通过一真空装置进行吸附,所述真空装置吸附晶圆或衬底后的真空度数值为60~100KPA。
优选地,所述对晶圆和衬底载片中的至少一个进行吸附,所述晶圆与所述衬底载片之间通过粘合剂结合的步骤之前还包括:
通过粘合剂将待加工晶圆和衬底载片结合在一起。
优选地,所述通过粘合剂将待加工晶圆和衬底载片结合在一起的步骤之后还包括:
对待加工晶圆进行处理以降低待加工晶圆的厚度。
第三方面,本发明还提供了一种晶圆临时键合的分离方法,该方法包括:
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