[发明专利]芯片封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及芯片封装件及其制造方法。

背景技术

在封装技术方面，再分布层(RDL)可以形成在芯片上方并且电连接至芯片中的有源器件。之后，可以形成诸如凸块下金属(UBM)上的焊料球的输入/输出(I/O)连接器以通过RDL电连接至芯片。这种封装技术的优势特征在于形成扇出封装件的可能性。因此，芯片上的I/O焊盘可以再分布以覆盖比芯片更大的面积，并且因此可以增加封装的芯片的表面上包装的I/O焊盘的数量。

集成扇出(InFO)封装技术变得越来越流行，尤其当与晶圆级封装(WLP)技术结合时。这样产生的封装结构提供具有相对较低的成本和高性能封装件的高功能密度。

发明内容

本发明的实施例提供了一种芯片封装件，包括：管芯；以及再分布结构，位于所述管芯上方；以及凸块下金属(UBM)结构，位于所述再分布结构上方，所述凸块下金属结构包括中心部分、与所述中心部分物理分隔开并且围绕所述中心部分的周界的外围部分以及具有第一端和与所述第一端相对的第二端的桥接部分，所述桥接部分的所述第一端连接至所述凸块下金属结构的所述中心部分，所述桥接部分的所述第二端连接至所述凸块下金属结构的所述外围部分。

本发明的另一实施例提供了一种芯片封装件，包括：管芯；模塑料，围绕所述管芯；多层级再分布层(RDL)，位于所述管芯上方和所述模塑料的第一表面上方；凸块下金属(UBM)结构，位于所述多层级再分布层上方并且电连接至所述多层级再分布层，其中，所述凸块下金属结构包括焊盘区域以及与所述焊盘区域横向分隔开并且围绕所述焊盘区域的周界的外围部分；以及外部连接器，位于所述凸块下金属结构的所述焊盘区域上方。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造芯片封装件的方法，所述方法包括：将管芯附接至载体；在所述管芯的侧壁周围形成模塑料；在所述管芯和所述模塑料上方形成包括多个再分布层(RDL)的再分布结构；在所述再分布结构的最顶再分布层上方形成凸块下金属(UBM)结构，所述凸块下金属结构包括焊盘区域以及与所述焊盘区域横向分隔开并且围绕所述焊盘区域的周界的外围部分；在所述凸块下金属结构的所述焊盘区域上方形成外部连接器；以及去除所述载体。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据实施例的芯片封装件的截面图。

图2A至图2C示出了根据实施例的图1中所示的芯片封装件的凸块下金属(UBM)结构的放大图。

图3A至图3B示出了典型的UBM结构。

图4A至图4L示出了根据各个实施例的UBM结构的各个实例。

图5A至图5F示出了根据实施例的示出形成图1中所示的芯片封装件的方法的一些步骤的工艺流程。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。