[发明专利]一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种水平电极倒装红光LED芯片的制备方法，所述水平电极倒装红光LED芯片包括衬底、键合层，在键合层上依次设置ODR介质层和P-GaP电流扩展层，在一小部分P-GaP电流扩展层上设置P面P-Finger扩展电极和P-Pad 中心电极，在大部分P-GaP电流扩展层上依次设置P-Space限制层、MQW有源区、N-Space限制层和N-AlGaInP粗化层；在部分N-AlGaInP粗化层上设置N-GaAs欧姆接触层，在N-GaAs欧姆接触层上设置N面N-Finger扩展电极和N-Pad 中心电极；

其特征在于包括以下步骤：

1）采用MOCVD方法，在一临时衬底的同一侧依次生长N-Ga_0.5In_0.5P腐蚀停层、N-GaAs欧姆接触层、N-AlGaInP粗化层、N-Space限制层、MQW有源区、P-Space限制层和P-GaP电流扩展层，取得外延片；

2）在外延片的P-GaP电流扩展层上依次淀积ODR介质层和键合层；

3）在转移衬底的一侧蒸镀键合层，通过键合层，将外延片的P-GaP电流扩展层和转移衬底键合在一起，取得键合后的半制品；

4）去除键合后的半制品的临时衬底后，再去除N-Ga_0.5In_0.5P腐蚀停止层，直至暴露出N-GaAs欧姆接触层；

5）在N-GaAs欧姆接触层上制作金属层，经光刻、剥离形成N面N-Finger扩展电极和N-Pad 中心电极；

6）去除N面N-Finger扩展电极和N-Pad 中心电极区域以外的N-GaAs欧姆接触层，直至暴露出N-AlGaInP粗化层；光刻后，自暴露的N-AlGaInP粗化层表面向下湿法腐蚀，直至暴露出P-GaP电流扩展层；

7）在P-GaP电流扩展层上制作金属层，光刻后，经剥离形成P面P-Finger扩展电极和P-Pad 中心电极；

8）在P面蚀刻沟道内沉积SiN层，对PN结侧壁钝化处理；

9）对N-AlGaInP粗化层进行粗化处理；

10）退火、激光划片、劈裂。