[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

衬底，所述衬底具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域和第二漏极区；

第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述衬底上方并且介于所述第一源极区域和所述第一漏极区域之间，其中，所述第一栅极结构在从所述第一源极区域到所述第一漏极区域的方向上具有第一长度；以及

第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述衬底上方并且介于所述第二源极区域和所述第二漏极区域之间，其中，所述第二栅极结构在从所述第二源极区域到所述第二漏极区域的方向上具有第二长度，所述第一栅极结构的第一厚度大于所述第二栅极结构的第二厚度，所述第一栅极结构的第一长度等于所述第二栅极结构的第二长度，并且所述第一栅极结构的第一栅极宽度小于所述第二栅极结构的第二栅极宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构由相同的材料制成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构包括多晶硅材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

掩模层，所述掩模层具有彼此隔离的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分位于所述第一栅极结构上方，并且所述第二部分位于所述第二栅极结构上方。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，还包括：

第一间隔件，所述第一间隔件围绕所述第一栅极结构并且围绕所述掩模层的所述第一部分；以及

第二间隔件，所述第二间隔件围绕所述第二栅极结构并且围绕所述掩模层的所述第二部分。

6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其中，所述第一间隔件的第三厚度大于所述第二间隔件的第四厚度。

7.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述第一部分的第一顶面未与所述第二部分的第二顶面对准。

8.一种半导体器件结构，包括：

衬底，所述衬底具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域和第二漏极区域；

第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件位于所述衬底上方并且介于所述第一源极区域和所述第一漏极区域之间，其中，所述第一栅极堆叠件在从所述第一源极区域到所述第一漏极区域的方向上具有第一长度；

第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件位于所述衬底上方并且介于所述第二源极区域和所述第二漏极区域之间，其中，所述第二栅极堆叠件在从所述第二源极区域到所述第二漏极区域的方向上具有第二长度，并且所述第一栅极堆叠件的第一长度等于所述第二栅极堆叠件的第二长度，所述第一栅极堆叠件的第一栅极宽度小于所述第二栅极堆叠件的第二栅极宽度；

第一间隔件，所述第一间隔件围绕所述第一栅极堆叠件；以及

第二间隔件，所述第二间隔件围绕所述第二栅极堆叠件，其中，所述第一间隔件的第一厚度大于所述第二间隔件的第二厚度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述第一间隔件覆盖所述第一栅极堆叠件的整个第一侧壁，并且所述第二间隔件仅覆盖所述第二栅极堆叠件的第二侧壁的一部分。

10.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述第一栅极堆叠件的第三厚度等于所述第二栅极堆叠件的第四厚度。

11.根据权利要求10所述的半导体器件结构，其中，所述第二栅极堆叠件的所述第四厚度大于所述第二间隔件的所述第二厚度。

12.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述第一栅极堆叠件的第一顶面与所述第二栅极堆叠件的第二顶面对准。

13.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述第二间隔件暴露所述第二栅极堆叠件的第二侧壁的一部分。