[发明专利]用于FINFET的源极和漏极工艺

权利要求书

1.一种用于制造FinFET的方法，所述方法包括：

在衬底上形成鳍结构；

在所述鳍结构的顶面和两个侧面上形成介电层，其中，所述侧面连接至所述顶面的两个相对边缘，并且所述鳍结构和所述介电层由不同的材料形成；

在所述介电层的第一部分上形成伪栅极；

分别在所述伪栅极的两个相对侧壁上形成两个间隔件，其中，形成所述间隔件的操作包括分别在所述介电层的两个第二部分上形成所述间隔件并且暴露所述介电层的两个第三部分，其中，所述介电层的每个所述第二部分位于所述介电层的所述第一部分和一个所述第三部分之间；

对所述介电层和所述鳍结构实施第一蚀刻操作以去除所述介电层的所述第三部分和每个所述第二部分的部分以及位于所述介电层的所述第三部分和部分所述第二部分下面的所述鳍结构的两个第一部分，从而分别在所述间隔件中形成两个第一凹槽；以及

对所述鳍结构实施第二蚀刻操作以去除分别邻近于所述鳍结构的所述第一部分的所述鳍结构的两个第二部分，从而在所述介电层中形成两个第二凹槽，其中，所述第二凹槽分别与所述第一凹槽相连通。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述鳍结构的操作由硅形成了所述鳍结构，并且形成所述介电层的操作由氧化硅形成了所述介电层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述间隔件的操作由氮化硅形成了所述间隔件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述伪栅极的操作由多晶硅形成了所述伪栅极。

5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在完成所述第二蚀刻操作之后，对所述第一凹槽和所述第二凹槽实施湿清洗操作。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在完成所述第二蚀刻操作之后，对所述衬底实施外延操作以在所述衬底上的一个所述第一凹槽和一个所述第二凹槽中形成源极，并且在所述衬底上的另一个所述第一凹槽和另一个所述第二凹槽中形成漏极。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述外延操作形成的所述源极和所述漏极的每个均包括硅锗(SiGe)层。

8.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括在完成所述外延操作之后，用金属栅极替换所述伪栅极。

9.一种用于制造FinFET的方法，所述方法包括：

在衬底上形成鳍结构；

在所述鳍结构的顶面和两个侧面上形成介电层，其中，所述侧面连接至所述顶面的两个相对边缘，并且所述鳍结构和所述介电层由不同的材料形成；

在所述介电层的第一部分上形成伪栅极；

分别在所述伪栅极的两个相对侧壁上形成两个间隔件，其中，形成所述间隔件的操作包括分别在所述介电层的两个第二部分上形成所述间隔件并且暴露所述介电层的两个第三部分，其中，所述介电层的每个所述第二部分位于所述介电层的所述第一部分和一个所述第三部分之间；

对所述介电层和所述鳍结构实施第一蚀刻操作以去除所述介电层的所述第三部分、所述介电层的每个所述第二部分的部分以及位于所述介电层的所述第三部分和所述介电层的所述第二部分的部分下面的所述鳍结构的两个第一部分，从而分别在所述间隔件中形成两个第一凹槽；

对所述鳍结构实施第二蚀刻操作以去除分别邻近于所述鳍结构的所述第一部分的所述鳍结构的两个第二部分，从而在所述介电层中形成两个第二凹槽，其中，所述第二凹槽分别与所述第一凹槽相连通；

对所述第一凹槽和所述第二凹槽实施湿清洗操作；以及

对所述衬底实施外延操作以在所述衬底上的一个所述第一凹槽和一个所述第二凹槽中形成源极，并且在所述衬底上的另一个所述第一凹槽和另一个所述第二凹槽中形成漏极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述鳍结构的操作由硅形成了所述鳍结构，并且形成所述介电层的操作由氧化硅形成了所述介电层。