[发明专利]重布线路结构

权利要求书

1.一种重布线路结构，电性连接于位于其下方的至少一导体，其特征在于，该重布线路结构包括：

介电层，覆盖该导体，且该介电层包括用来暴露该导体的至少一接触开口；

对位标记，配置在该介电层上，该对位标记包括位于该介电层上的基部以及位于该基部上的凸出部，其中该凸出部的最大厚度与该基部的厚度的比值小于0.25；以及

重布导电层，配置在该介电层上，该重布导电层包括导通孔，且该导通孔通过该接触开口电性连接至该导体，该对位标记及该导体被该介电层隔开于彼此，且该导通孔包括在其上表面上的凹陷，且该导体至该凹陷的底部的最小距离大于该凹陷的深度。

2.根据权利要求1所述的重布线路结构，其特征在于，该导体至该导通孔的上表面的最小距离大于该凸出部的最大厚度及该基部的厚度的总和。

3.根据权利要求1所述的重布线路结构，其特征在于，该凹陷分布在该接触开口的上方与之外。

4.根据权利要求1所述的重布线路结构，其特征在于，该导体至该凹陷的该底部的最小距离大于该凸出部的最大厚度及该基部的厚度的总和。

5.根据权利要求1所述的重布线路结构，其特征在于，该导体的暴露区域外露于该接触开口，该暴露区域的直径小于等于50微米，该凸出部的最大厚度小于0.5微米，该凹陷的深度小于0.5微米。

6.根据权利要求1所述的重布线路结构，该导体的暴露区域外露于该接触开口，该介电层具有环绕该接触开口的第一侧墙，该暴露区域与该第一侧墙之间夹有第一钝角，该导通孔具有环绕该凹陷的第二侧墙，该凹陷的该底部与该第二侧墙之间夹有第二钝角，且第二钝角大于第一钝角。

7.根据权利要求1项所述的重布线路结构，其特征在于，更包括：

图案化种子层，包括形成于该导体与该重布导电层之间的至少一第一种子图案以及形成于该介电层与该对位标记之间的至少一第二种子图案。

8.一种扇出型集成电路封装，其特征在于，包括：

集成电路，包括至少一导电柱；

绝缘包封体，包封该集成电路且外露该集成电路的该导电柱；以及

重布线路结构，设置在该集成电路与该绝缘包封体上，且电性连接至该集成电路的该导电柱，该重布线路结构包括：

介电层，覆盖该集成电路与该绝缘包封体且包括用来暴露该导电柱的至少一接触开口；

对位标记，配置在该介电层上，该对位标记包括位在该介电层上的基部及位在该基部上的凸出部，其中该凸出部的最大厚度与该基部的厚度的比值小于25％；以及

重布导电层，配置在该介电层上，该重布导电层包括导通孔，且该导通孔透过该接触开口电性连接至该导电柱，该对位标记及该导电柱被该介电层隔开于彼此，且该导通孔包括在其上表面上的凹陷，且该导电柱至该凹陷的底部的最小距离大于该凹陷的深度。

9.根据权利要求8项所述的扇出型集成电路封装，其特征在于，该导电柱至该导通孔的上表面的最小距离大于该凸出部的最大厚度及该基部的厚度的总和。

10.根据权利要求8项所述的扇出型集成电路封装，其特征在于，该凹陷分布在该接触开口的上方与之外。

11.根据权利要求8项所述的扇出型集成电路封装，其特征在于，该导电柱至该凹陷的该底部的最小距离大于该凸出部的最大厚度及该基部的厚度的总和。

12.根据权利要求8项所述的扇出型集成电路封装，其特征在于，该导电柱的暴露区域外露于该接触开口，该暴露区域的直径小于等于50微米，该凸出部的最大厚度小于0.5微米，该凹陷的深度小于0.5微米。