[发明专利]一种微型发光二极管显示器结构及制作方法

说明书

本发明涉及一种微型发光二极管显示器结构，还涉及该显示器结构的制造方法，该显示器的显示单元均由若干个像素构成；其特征在于：所述的每个像素均包含两个或两个以上的次像素，且一个单元内同一列的次像素连接在同一个电极A上，一个单元内同一行的次像素连接在同一个电极B上并实现行列驱动。本发明的优点在于：其无需背光源，有利于将显示器做薄，同时，其又是由性能稳定的无机半导体外延片制成，使用寿命长，且不会出现显示不均匀的状况；且能够极大程度上简化生产流程，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及一种微型发光二极管显示器结构，还涉及一种制造该微型发光二极管显示器结构的方法。

背景技术

显示器在当今消费电子产品有着广泛的应用，尤其是计算机显示器，手机显示屏，智能可穿戴设备显示屏等。随科技进步，原来的阴极射线管显示基本上已经被轻薄的液晶显示器 (LCD)所取代，并向着更轻、更薄的方向发展。而LCD自身不发光，必要有背光源才可以正常显示，限制了LCD不能做的足够薄。近年来，有机发光二极管显示器 (OLED)迅速崛起，其凭借自发光、无需背光源的优势，可以做的更薄，广泛被一些大公司应用在手机、智能手表等设备上。

而OLED也有其难以克服的缺点，有机材料本身并不稳定，致使OLED显示器寿命难以与无机半导体材料相媲美。而且，OLED光衰较为明显，长期工作可导致显示器不同像素的发光效率差别较大，导致显示器显示不均匀。

由于第三代半导体高击穿电压、大热导率、强抗辐射能力、高响应频率等优点，在白光照明、大功率显示器件、紫外消毒等领域占有重要地位。因此，若能够将第三代半导体应用至其他领域例如显示器行业，必定会大大提升显示器的性能。

本发明公开的微型发光二极管显示器，是第三代半导体发光二极管结构构成的显示器，兼顾了OLED显示器自发光、无需背光的有点，而且具有OLED不具有的优点：高亮度、高光效、长寿命、制作成本低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够简化生产流程且性能好的微型发光二极管显示器结构及制作方法。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：微型发光二极管显示器结构，该显示器包括一个或以上数量的显示单元，每个显示单元均由若干个像素构成；其特征在于：所述的每个像素均包含两个或两个以上的次像素，相邻的次像素之间存在一个蚀刻间隙，且一个单元内同一列的次像素连接在同一个电极A上，限定电极A为N电极或P电极中的一种，一个单元内同一行的次像素连接在同一个电极B上，限定电极B为N电极或P电极中的另一种，并实现行列驱动。

所述次像素的基本结构包括依次堆叠设置的调色层、N型半导体层、有源发光区、P型半导体层、P电极和基板，还包括与N型半导体层接触的N电极，限定堆叠方向为同时垂直于所述行、列所在平面的方向，所述次像素沿堆叠方向自有源发光区侧向调色层侧出光。

所述N电极位于N型半导体层与调色层之间。

所述N电极位于刻蚀后的台阶状N型半导体层台阶面上。

所述次像素还包括辅助层，该辅助层至少包括电子阻挡层、空穴注入层或欧姆接触增强层中的一种，其中，电子阻挡层设置在有源发光区和P型半导体层之间，空穴注入层设置在P型半导体层和P电极之间，欧姆接触增强层设置在P电极与P型半导体层之间。

所述次像素中的P电极与基板之间，或者相邻次像素之间的蚀刻间隙内均可设置反射层。

1. 实现上述微型发光二极管显示器结构的制作方法，主要为显示单元的制作，其特征在于：

步骤S1：选用合适规格的外延片，外延片具有自上而下依次堆叠设置的P型半导体层、有源发光区、N型半导体层、缓冲层和衬底；