[发明专利]对基底进行离子注入的方法

权利要求书

1.一种对基底进行离子注入的方法，包含：

提供一基底；

对该基底进行一清洗步骤，该清洗步骤进行后，形成至少一残留物于该基底上，该残留物包含一残酸或一残碱；

形成一材料层于该基底上，其中该材料层包含有一有机介电层，且该材料层的厚度介于100埃至200埃之间；

形成一图案化光致抗蚀剂层于该材料层上，该材料层直接接触该基底和该图案化光致抗蚀剂层；以及

对该基底进行一离子注入步骤，其中在对该基底进行该离子注入步骤的过程中，该材料层被该图案化光致抗蚀剂层暴露的部分仍保留在该基底上，其中该材料层形成于该基底上之后，未对该基底进行任何蚀刻步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其中该材料层不包含吸光材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中该离子注入步骤进行时，该材料层仍位于该基底上。

4.如权利要求1所述的方法，其中该基底材质包含有氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中该基底包含有一蓝宝石基板。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化光致抗蚀剂层之后，至进行该离子注入步骤之间，未包含有进行其他步骤。

7.如权利要求1所述的方法，其中该材料层完全覆盖该残留物。

8.如权利要求1所述的方法，其中该清洗步骤包含一浸泡于硫酸与双氧水的溶液中的步骤。